收藏 
下载规格书 激光二极管在太空应用中已使用多年。 它们的主要用途是作为固态激光器的泵浦，并为这些应用开发了鉴定方法。
全部产品分类
概述
LASERSCOM的LDI-1270-DFB-10G-20/60是波长为1265至1275 nm、输出功率为0.02 W、工作电压为1.3至1.8 V、工作电流为17至280 mA、阈值电流为8至10 mA的激光二极管。有关LDI-1270-DFB-10G-20/60的更多详细信息，
参数
- 工作模式 / Operation Mode : CW Laser, Pulsed Laser
- 波长 / Wavelength : 1265 to 1275 nm
- 输出功率 / Output Power : 0.02 W
- 工作电压 / Operating Voltage : 1.3 to 1.8 V
- 工作电流 / Operating Current : 17 to 280 mA
- 阈值电流 / Threshold Current : 8 to 10 mA
- 类型 / Type : Fiber-Coupled Laser Diode
图片集
规格书
厂家介绍
LaserCom LLC是半导体激光二极管、LED、光电二极管和混合光纤耦合模块的制造商和开发商。他们为原始设备制造商提供组件，用于电信、科学研究、生命科学、安全、航空航天工业和计量等领域要求较苛刻的应用。Laserscom拥有一支高素质的工程师和研究人员团队，其中包括博士。他们与白俄罗斯国家科学院、国内外研究机构和工业公司密切合作。 他们开发了一种独特的激光二极管模块组装技术，可为光纤提供高光功率耦合效率。光电二极管模块组件的这种独特技术允许生产具有光学匹配、小背向反射和大动态范围的模块。在持续的质量监控下，在清洁区进行制造，以确保其产品的可靠性和耐用性。 他们设计的设备提供了卓越的光功率稳定性，散热，机械强度和抗电离辐射。轻便紧凑的激光和光电二极管模块可广泛用于固定和便携式光纤设备。
相关产品
图片名称分类制造商参数描述
- EYP-RWL-0808-00800-4000-CMT04-0000 GaAs Semiconductor Laser Diode半导体激光器eagleyard Photonics GmbH
输出功率: 900mW
808 nm法布里-珀罗激光器，C-Mount封装。
- LASER DIODE FLX-1850-1000M-100半导体激光器FrankFurt Laser Company
输出功率: 1000mW
FLX-1850-1000M-100是一款多模半导体激光二极管，在1850nm处具有1000mW连续输出功率。可用的封装有B-mount、C-mount、Q-mount、TO-3 CAN和HHL。它适用于各种光电应用。
- Z-FIBER 450nm High-end laser with active cooling半导体激光器Z-LASER America Inc.
波长: 450nm输出功率: 15mW
结构光光纤激光器系列Z-FIBER专为市场上较苛刻的应用而开发。只要需要高分辨率测量或医疗用途的卓越光束性能，Z-Fiber系列就是正确的选择。用户可以根据应用要求选择蓝色、绿色、红色和近红外波长。投影质量优于市场上任何可用的自由空间解决方案。激光器及其智能监控功能实现了性能的高度稳定性。集成的主动冷却系统支持延长使用寿命和稳定运行。由于其通信接口（RS-232和I²C），激光器可以有效地集成在复杂的机器视觉、医疗或生命科学设置中。
- I0785MB0350MF半导体激光器Innovative Photonic Solutions
波长: 785 nm输出功率: 0.35 W
Innovative Photonic Solutions的I0785MB0350MF是一款激光二极管，波长为785 nm，输出功率为0.35 W，工作电压为2.2 V，工作电流为1 A，输出功率（CW）为0.35 W.有关I0785MB0350MF的更多详细信息，请参见下文。
- ML1803半导体激光器Modulight, Inc.
波长: 635 nm输出功率: 0.4 W
来自Modulight，Inc.的ML1803是波长为635nm、输出功率为0.4W、工作电压为2.3V、工作电流为1060mA、阈值电流为590mA的激光二极管。有关ML1803的更多详细信息，请参见下文。
相关文章
激光二极管是一种半导体设备，它将电能直接转换为一束聚焦的光。
麻省理工学院（MIT）的一项新研究发现，即使消除了来自外界的所有噪声，时钟、激光束和其他振荡器的稳定性仍然容易受到量子力学效应的影响。
光功率测量基础知识（Optical Power Measurement）
当光子击中光电二极管材料时，可能会产生电子-空穴对，这取决于器件的量子效率。