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下载规格书 激光二极管技术（Laser Diode Technology）
最近，激光二极管的商业和工业应用急剧增加。激光二极管的光学特性、小尺寸和坚固性使得许多新用途得以商业化。
全部产品分类
概述
来自Anritsu Corporation的AF4Y115HA85J是波长为1450至1490nm、输出功率为0.15W、工作电压为2V、阈值电流为60mA、输出功率（CW）为0.15W的激光二极管。有关AF4Y115HA85J的更多详细信息，
参数
- 工作模式 / Operation Mode : CW Laser
- 波长 / Wavelength : 1450 to 1490 nm
- 输出功率 / Output Power : 0.15 W
- 工作电压 / Operating Voltage : 2 V
- 阈值电流 / Threshold Current : 60 mA
- 类型 / Type : Fiber-Coupled Laser Diode
图片集
规格书
厂家介绍
安立公司在信息通信领域不断发展，开发各种通信系统和服务应用，为质量保证仪器和食品药品异物检测机、重量分选机、远程监控系统、带宽控制等提供必不可少的设备。在广泛的领域中，支撑着小康社会的安全与安心。
相关产品
图片名称分类制造商参数描述
- DL-CLS051B-S1665 Ultra Narrow Linewidth Laser半导体激光器DenseLight Semiconductors
输出功率: 5mW
DenseLight DL-CLS系列是采用BTF/DIL封装的冷却型超窄线宽激光器，具有单频发射功能。该激光器基于专有的外腔激光器设计，采用内置光纤布拉格光栅，提供非常稳定的激射波长性能、窄光谱线宽和出色的SMSR。建成的激光波长可以精确到1nm，并且可以通过对内部冷却器温度或驱动电流进行微调来实现更高的精度（低至皮米范围）。该设备可以进行高达622Mbps的强度调制。高速频率调制可以通过直接调制其驱动电流来实现。典型连续输出功率可达20mW，脉冲功率可达50mW。定制型号可提供更高的输出功率。
- LASER DIODE FIDL-50S-895X半导体激光器FrankFurt Laser Company
输出功率: 50mW
FIDL-50S-895X是用MOCVD半导体激光器制作的895nm InGaAs/GaAs单量子阱。低阈值电流和高斜率效率有助于降低工作电流，提高可靠性。FIDL-50S-895X是一款CW单模注入半导体激光二极管，内置监控光电二极管以稳定输出功率。激光二极管适用于各种光电系统。
- Widely Tunable Mid-IR Laser Source半导体激光器Block Engineering
较小宽可调QCL系统
- QLD-640-100S半导体激光器QPhotonics
波长: 643.1 nm输出功率: 0 to 0.0999 W
Qphotonics公司的QLD-640-100S是波长为643.1nm的激光二极管，输出功率为0~0.0999W，工作电压为2.88V，工作电流为0.251~0.276A，阈值电流为71mA.有关QLD-640-100S的更多详细信息，请参阅下文。
- 23XX nm high power diode半导体激光器Brolis Semiconductors
波长: 2290 nm输出功率: 0.5 W
Brolis Semiconductors公司生产的23xxnm大功率激光二极管，波长为2290nm，输出功率为0.5W，工作电压为1.5V，工作电流为5A，阈值电流为300mA.23xx nm高功率二极管的更多详细信息可以在下面看到。
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