LD67F6S-A/B/C

输出功率: 900mW

808 nm法布里-珀罗激光器，C-Mount封装。

输出功率: 35mW

Ushio Opto Semiconductor（USHIO/OPNEXT激光二极管）提供405nm至850nm的各种功率水平。HL40033G（1000mW，405nm）紫光二极管是成像、生物医学和工业应用的理想选择。还提供HL40071MG，这是Ushio的一款新型单模405nm二极管，较大功率为300 MW。Ushio红色激光二极管的波长范围为633nm至690nm。高功率红色激光二极管HL63290HD、HL63520HD提供超过2 W的功率，可用于投影仪应用。HL65014DG是一种功率为150mW的单模红光激光二极管，可用作光学仪器的光源。Ushio红外和近红外激光二极管可用于705nm、730nm、830nm和850nm。World Star Tech拥有大多数Ushio激光二极管的大量库存。World Star Tech可提供Ushio激光二极管的波长测量和选择。此外，还可以较低的额外成本提供激光二极管的完整特性，这将使制造更加可靠和容易。波长、激光阈值电流、激光斜率效率、激光电压和监控二极管信息将与测量数据一起提供。请联系我们了解您的激光二极管要求。HL40033G激光二极管具有多模式和9 mm封装。HL6501MG激光二极管具有单模式和5.6 mm封装。HL6501MG是工业和生物分析应用的理想选择，要求操作可靠，使用寿命长，输出功率稳定。

波长: 965 to 990 nm输出功率: 1 to 1.6 mW

Inneos的V980-6GXA-1TGA是一款6 Gbps VCSEL激光二极管，工作波长为980 nm.其光输出功率为1.6mW，斜率效率为0.5-0.75mW/mA.该单通道顶部发射激光二极管的光谱宽度为0.4nm，最小小信号带宽为4.5GHz，光束发散半角为16度。它需要2-3.3 V的直流电源，功耗为3 mA.该激光二极管的反向电压高达8 V，需要0.7 mA的阈值电流。该器件采用尺寸为250 X 250 X 200微米的封装，非常适合汽车、工业和航空航天应用中的恶劣环境传感器、发射器光学子组件和宽温度收发器。

波长: 790 to 840 nm输出功率: 0.5 W

SLD322V是由Sony Semiconductor Solutions Corporation生产的激光二极管，其波长为790至840 nm，输出功率为0.5 W，工作电压为2.1至3 V，工作电流为0.75至1.2 A，阈值电流为180至300 mA.有关SLD322V的更多详细信息，请参见下文。

波长: 650 to 650 nm输出功率: 0.005 W

Opelus Technology Corporation的LD-650-05-50-N-2-01是波长为650至650nm、输出功率为0.005W、工作电压为2.2至2.6V、工作电流为28至35mA、阈值电流为21至30mA的激光二极管。有关LD-650-05-50-N-2-01的更多详细信息，请参阅下文。