紧凑型光子芯片的精确热控制：玻璃基板集成微热电冷却器（SimTEC）
光子学提供了各种优势，包括通过利用光特性在光学数据通信、生物医学应用、汽车技术和人工智能领域实现高速低损耗通信。这些优势是通过复杂的光子电路实现的，包括集成在光子芯片上的各种光子元件。
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S30-xxxx-560
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获取报价 收藏 下载规格书 更新时间：2023-02-23 15:51:45
型号: S30-xxxx-560Up to 720 mW Fiber Bragg Grating Stabilized 980 nm Pump Modules
概述
Lumentum Operations LLC的S30-XXXX-560是一款激光二极管，波长为980 nm，输出功率高达0.72 W，工作电压为2.76 V，工作电流为1150 mA，阈值电流为35mA.有关S30-XXXX-560的更多详细信息，
参数
- 技术 / Technology : Fiber-Bragg-Grating Laser (FBG)
- 工作模式 / Operation Mode : CW Laser
- 波长 / Wavelength : 980 nm
- 输出功率 / Output Power : Up to 0.72 W
- 工作电压 / Operating Voltage : 2.76 V
- 工作电流 / Operating Current : 1150 mA
- 阈值电流 / Threshold Current : 35mA
- 类型 / Type : Fiber-Coupled Laser Diode
规格书
厂家介绍
光和动力，动力和驱动力是我们工作的核心要素——自信地前进，发现光还能做什么。事实上，世界上的每一个通信网络——电信、企业或数据中心——都依赖于我们的光学元件和模块。我们的高性能商用激光器对于半导体芯片、智能手机、平板电脑、汽车和家电等产品的先进制造技术至关重要。
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图片名称分类制造商参数描述
- FDL-785-2W-TA Tapered Amplifier for MOPA半导体激光器FrankFurt Laser Company
输出功率: 2000mW
GaAs基锥形放大器用于现有种子激光器的放大。10mW和30mW之间的种子功率可以被放大到接近2000W的衍射极限功率值。这种设置称为MOPA（主振荡器功率放大器）。后端面和前端面都具有小于0.01%的抗反射涂层，以避免放大器芯片本身的激光作用。具有锥形放大器的MOPA装置的应用实例是光学冷却、高分辨率吸收的光阱或拉曼光谱。
- LASER DIODE FLX-635-400M-100半导体激光器FrankFurt Laser Company
输出功率: 400mW
FLX-635-400M-100是一款多模半导体激光二极管，在635nm处具有400mW连续输出功率。可用的封装有B-mount、C-mount、Q-mount、9mm TO CAN、TO-3 CAN和HHL。它适用于各种光电应用。
- LD-445-1000MG半导体激光器Roithner Lasertechnik
波长: 442 to 448 nm输出功率: 1 W
来自Roithner Lasertechnik的LD-445-1000MG是波长为442至448 nm、输出功率为1 W、工作电压为4至6 V、工作电流为0至1.05 A、阈值电流为150至200 mA的激光二极管。有关LD-445-1000MG的更多详细信息，请参阅下文。
- RLT8810MG半导体激光器Roithner Lasertechnik
波长: 875 to 883 nm输出功率: 0.01 W
Roithner Lasertechnik公司的RLT8810MG是一种激光二极管，波长为875~883nm，输出功率为0.01W，工作电压为1.65~1.8V，工作电流为0.02~0.03A，阈值电流为7~15mA.有关RLT8810MG的更多详细信息，请参阅下文。
- D6-7-650-30-P半导体激光器Egismos Technology Corporation
波长: 650 nm输出功率: 0 to 0.03 W
D6-7-650-30-P是EGISMOS技术公司的激光二极管，其波长为650nm，输出功率为0至0.03W，工作电压为2.4至3V，工作电流为65至100mA，阈值电流为35至50mA.有关D6-7-650-30-P的更多详细信息，请参阅下文。
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