单频半导体激光器研究取得进展：氮化硅微谐振器大大提高半导体激光器性能
洛桑联邦理工学院（EPFL）光子系统实验室（PHOSL）的团队开发出了一种芯片级激光源，在提高半导体激光器性能的同时，还能产生更短的波长。 这项开创性工作由Camille Brès教授和来自洛桑联邦理工学院工程学院的博士后研究员Marco Clementi领导，是光子学领域的重大进展，对电信、计量学和其他高精度应用具有重要意义。
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L4-9897510-100M
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获取报价 收藏 下载规格书 更新时间：2023-02-23 15:51:45
型号: L4-9897510-100ML4 and L4i 915/940 nm FiberCoupled Lasers
概述
Lumentum Operations LLC的L4-9897510-100M是一款激光二极管，波长为963至985 nm，输出功率高达10 W，工作电流为11.4至13 A，阈值电流为700至950 mA，输出功率（CW）高达10 W.有关L4-9897510-100M的更多详细信息，
参数
- 工作模式 / Operation Mode : CW Laser
- 波长 / Wavelength : 963 to 985 nm
- 输出功率 / Output Power : Up to 10 W
- 工作电流 / Operating Current : 11.4 to 13 A
- 阈值电流 / Threshold Current : 700 to 950 mA
- 类型 / Type : Fiber-Coupled Laser Diode
图片集
规格书
厂家介绍
光和动力，动力和驱动力是我们工作的核心要素——自信地前进，发现光还能做什么。事实上，世界上的每一个通信网络——电信、企业或数据中心——都依赖于我们的光学元件和模块。我们的高性能商用激光器对于半导体芯片、智能手机、平板电脑、汽车和家电等产品的先进制造技术至关重要。
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图片名称分类制造商参数描述
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D6-7-660-50-N（EGISMOS Technology Corporation出品）是一种激光二极管，其波长为650至670 nm，输出功率为0.05 W，工作电压为2.6至3 V，工作电流为0.09至0.12 A，阈值电流为45至60 mA.有关D6-7-660-50-N的更多详细信息，请参阅下文。
- QL65I7S-A/B/C-H半导体激光器Quantum Semiconductor International
波长: 645 to 665 nm输出功率: 35 mW
Quantum Semiconductor International的QL65I7S-A/B/C-H是一种激光二极管，波长为645至665 nm，输出功率为35 MW，工作电压为1.8至2.6 V，工作电流为40至110 mA.有关QL65I7S-A/B/C-H的更多详细信息，请参阅下文。
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