MCC02-80-808

波长: 808nm输出功率: 150000mW

BWT Beijing'的高功率二极管激光模块采用专门的光纤耦合技术制造，产品具有高效率、稳定性和卓越的光束质量。这些产品是通过使用特殊的微光学器件将来自激光二极管芯片的非对称辐射转换为具有小芯径的输出光纤来实现的。每一个环节的检测和老化程序都是为了保证每一件产品的可靠性、稳定性和长寿命，我们的研发人员在长期积累的专业知识和经验的基础上，在生产过程中不断改进和创新加工工艺。我们还不断开发新产品，以满足客户的特定需求。在BWT北京，以合理的价格提供高质量的产品是我们一贯的目标。

输出功率: 2000mW

GaAs基锥形放大器用于极端谐振器配置中，以将高达2000W的近衍射极限输出功率与小谱线宽度和高边模抑制比相结合。它们的后端面具有小于0.01%的高抗反射涂层，以保证与光栅的良好耦合。前表面具有抗反射涂层，以保护芯片不受背向反射的影响。典型的应用是高分辨率吸收光谱或非线性倍频。

波长: 900-1080nm输出功率: 3500000mW

节省空间的19英寸概念使工厂施工人员更容易集成激光器，从而使其成为标准的工业工具。无论是在经典的控制柜、加工站还是在互连生产工厂的传送带下方，创新设计都可以在生产区域集成LDM二极管激光器，从而节省空间。在标准控制柜中，在加工站中或在互连生产工厂的传送带下方，激光器不需要额外的空间，因此非常适合OEM应用。

波长: 1480nm输出功率: 43000mW

Seminex在13xx和17xx nm之间的红外波长下提供较高的可用功率。必要时，我们将进一步优化我们的InP激光器芯片的设计，以满足客户特定的光学和电气性能需求。二极管、线棒和封装都经过测试，以满足客户和市场的性能需求。显示了典型结果和封装选项。联系法兰克福激光公司了解更多详情或讨论您的具体要求。

输出功率: 6200mW

Seminex在13xx和17xx nm之间的红外波长下提供较高的可用功率。必要时，我们将进一步优化我们的InP激光器芯片的设计，以满足客户特定的光学和电气性能需求。二极管、线棒和封装都经过测试，以满足客户和市场的性能需求。显示了典型结果和封装选项。联系法兰克福激光公司了解更多详情或讨论您的具体要求。