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下载规格书 BluGlass 收购其美国氮化镓代工厂并与美国团队签订半导体激光器开发协议
BluGlass 收购其美国氮化镓代工厂并与美国团队签订半导体激光器开发协议
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GC-1260-60-to-200-B概述
来自Innolume的GC-1260-60-TO-200-B是一种激光二极管，波长为1270 nm，输出功率为0.15至0.21 W，工作电流为0.8至0.8 A，输出功率（CW）为0.15到0.21 W.有关GC-1260-60-TO-200-B的更多详细信息，
GC-1260-60-to-200-B参数
- 工作模式 / Operation Mode : CW Laser
- 波长 / Wavelength : 1270 nm
- 输出功率 / Output Power : 0.15 to 0.21 W
- 工作电流 / Operating Current : 0.8 to 0.8 A
- 类型 / Type : Free Space Laser Diode
GC-1260-60-to-200-B规格书
GC-1260-60-to-200-B厂家介绍
通过将波长覆盖范围与量子点技术和先进的芯片设计相结合，我们使客户能够开发高端的工业、医疗和通信应用。使用高度可靠的单模光纤耦合技术，我们主要专注于芯片生产-我们目前的产量超过1000万芯片/年。多年的经验、技术知识和完全垂直整合的工厂是产品开发和修改快速周转的关键——不仅是标准项目，还有定制订单。
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图片名称分类制造商参数描述
- 3~5W UV Laser Coral UV-03半导体激光器Bellin Laser
3~5W紫外激光器。
- Diode Laser Modules for High Accurate Pointing Applications半导体激光器Anteryon BV
点激光器使激光二极管的光束准直。Anteryon的刚性力学、完美聚焦和Anteryon非球面准直器透镜为我们的激光模块提供了仅受物理定律限制的激光束。如果需要，通常在聚焦激光模块中发现的光束指向误差可以被调整为与模块外壳共线到几分之一度内。
- Fabry-Pérot Laser Diode-LD-10XX-YY-300-1123nm半导体激光器Innolume GmbH
输出功率: 300mW
•300/400/500mW输出功率Ex-单模光纤 •可用波长范围1090-1130nm •专有镜面涂层技术，实现高可靠性 •PM980或HI1060光纤 •单独老化和热循环筛选 •可选监控光电二极管 •符合RoHS规范
- SemiNex High Power Multi-Mode Laser Diodes on B-Mount 1550nm 4.2W半导体激光器FrankFurt Laser Company
输出功率: 4200mW
Seminex在13xx和17xx nm之间的红外波长下提供较高的可用功率。必要时，我们将进一步优化我们的InP激光器芯片的设计，以满足客户特定的光学和电气性能需求。二极管、线棒和封装都经过测试，以满足客户和市场的性能需求。显示了典型结果和封装选项。联系法兰克福激光公司了解更多详情或讨论您的具体要求。
- ML720A1S-E22E半导体激光器Roithner Lasertechnik
波长: 1310 nm输出功率: 0.004 W
来自Roithner Lasertechnik的ML720A1S-E22E是波长为1310 nm、输出功率为0.004 W、工作电压为1.15 V、工作电流为0至0.02 A、阈值电流为10 mA的激光二极管。有关ML720A1S-E22E的更多详细信息，请参阅下文。
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