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RLT1060-100G 半导体激光器

RLT1060-100G

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奥地利

更新时间:2023-02-23 15:53:58

型号: RLT1060-100G

RLT1060-100G概述

Roithner Lasertechnik公司的RLT1060-100G是波长为1054至1064 nm的激光二极管,输出功率为0.1 W,工作电压为1.2至1.4 V,工作电流为0.12至0.14 A,阈值电流为20至30 mA.有关RLT1060-100G的更多详细信息,

RLT1060-100G参数

  • 工作模式 / Operation Mode : CW Laser
  • 波长 / Wavelength : 1054 to 1064 nm
  • 输出功率 / Output Power : 0.1 W
  • 工作电压 / Operating Voltage : 1.2 to 1.4 V
  • 工作电流 / Operating Current : 0.12 to 0.14 A
  • 阈值电流 / Threshold Current : 20 to 30 mA
  • 激光颜色 / Laser Color : Infrared
  • 类型 / Type : Free Space Laser Diode
  • RoHS / RoHS : Yes

RLT1060-100G规格书

RLT1060-100G厂家介绍

激光二极管、激光模块、LED、光电二极管、光学器件和相关配件的供应商。

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图片名称分类制造商参数描述
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  • 光电查
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  • 光电查
    QPGEW1S09H 905 nm Pulsed Semiconductor Laser半导体激光器Excelitas Technologies

    Excelitas Technologies的PGEW系列单外延和多外延905 nm脉冲半导体激光器由一系列器件组成,这些器件具有多达四个外延生长在单个GaAs衬底芯片上的有源激射层。这种多层设计将输出功率乘以外延层的数量。例如,QPGEW Quad激光器的有源层宽度为225µm,具有四个外延生长的激射层,输出峰值功率接近100 W。T1¾(类TO)塑料封装补充了Excelitas采用密封金属封装的Epi-Cavity激光器,非常适合大批量应用。该激光器采用Excelitas的新型多活性区域激光器芯片,在较小的发射区域内提供高输出功率。PGEW系列的激光芯片具有75和225µm的条纹宽度,并提供单(PGEW)、双(DPGEW)、三(TPGEW)或四(QPGEW)外腔版本。这些器件在垂直于芯片表面的方向上具有25°的光束发散角,在结平面内具有10°的光束扩展。功率输出在整个MIL规格温度范围内表现出极佳的稳定性。使用金属有机化学气相沉积(MOCVD)来制造结构。在涉及光纤耦合应用的情况下,外腔有源区的横向间隔将更多的光功率集中到更小的几何结构中,从而允许增加耦合到光纤中的光功率。峰值波长集中在大多数硅光电二极管的较大响应度附近。PGEW激光器与Excelitas EPI-APD系列C30737的器件匹配得特别好。这些器件非常适合以成本为首要考虑因素且需要大批量生产能力的应用。

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