LU0915S500

近红外脉冲半导体激光器通常用于长距离飞行时间或相移测距仪或激光雷达系统。Excelitas提供各种理想的脉冲905 nm激光器设计，包括多腔单片结构，每个芯片较多有4个有效区域，可产生高达100 W的峰值光输出功率。激光器芯片的物理堆叠也是可能的，从而产生高达300W的峰值光输出功率。板上芯片组件可用于混合集成。有6种金属密封封装类型可供选择，适用于恶劣环境应用。对于大批量应用，可提供模制环氧树脂TO-18型封装和表面贴装超模压陶瓷覆晶封装。关键参数是脉冲宽度和上升/下降时间。可以减小脉冲宽度，从而允许增加的电流驱动并导致更高的峰值光功率。量子阱激光器设计提供1ns的上升和下降时间，但驱动电路布局和封装电感在决定上升/下降时间方面起着更大的作用，因此应进行相应的设计。为此，Excelitas提供了具有不同电感值的多种封装类型。我们的核心能力包括：MOVPE晶圆生长；生长的GaAs晶片的晶片处理；使用环氧树脂或焊料芯片附着的组件；引线框架上激光器的环氧树脂封装密封产品符合MIL STD和客户要求。

波长: 1877nm输出功率: 2mW

Eblana的EP1877-0-DM激光器系列在1.88μm范围内提供单模发射，适用于使用1877 nm吸收线的水分检测等应用。该激光器基于Eblana的离散模式技术平台，在1877 nm提供稳定、精确的激光发射性能，适用于广泛的水分检测应用。

输出功率: 0.75mW

激光模块GLM-532-001-X-1235-APC。

波长: 780 to 975 nm输出功率: 200 W

诺斯罗普·格鲁曼公司的ARR179P4000HDS20是一种激光二极管，波长为780至975 nm，输出功率为200 W，输出功率（CW）为200 W.有关ARR179P4000HDS20的更多详细信息，请参见下文。

波长: 1260 to 1670 nm输出功率: 0.005 to 0.01 W

来自Denselight Semiconductors的CLS051B-S1665是一款激光二极管，波长为1260至1670 nm，输出功率为0.00 5至0.01 W，工作电压为0至2.5 V，工作电流为0至2.5 A，输出功率（CW）为0.00 5至0.01 W.有关CLS051B-S1665的更多详细信息，请参见下文。