80W 50FF

输出功率: 20mW

FIDL-20S-980X是用MOCVD半导体激光器制作的980nm InGaAs/GaAs单量子阱结构。低阈值电流和高斜率效率有助于低工作电流，从而提高可靠性。FIDL-20S-980X是一款CW单模注入半导体激光二极管，内置监控光电二极管以稳定输出功率。精确的波长选择允许在光谱设备以及各种光电系统中使用激光二极管。

输出功率: 6000mW

FLX-808-6000M-200是一款多模半导体激光器。在808nm连续输出功率为6000mW的二极管。可用的封装为B-Mount、C-Mount、Q-Mount和HHL。它是适用于各种光电应用。

Excelitas Technologies的PGEW系列单外延和多外延905 nm脉冲半导体激光器由一系列器件组成，这些器件具有多达四个外延生长在单个GaAs衬底芯片上的有源激射层。这种多层设计将输出功率乘以外延层的数量。例如，QPGEW Quad激光器的有源层宽度为225µm，具有四个外延生长的激射层，输出峰值功率接近100 W。T1¾（类TO）塑料封装补充了Excelitas采用密封金属封装的Epi-Cavity激光器，非常适合大批量应用。该激光器采用Excelitas的新型多活性区域激光器芯片，在较小的发射区域内提供高输出功率。PGEW系列的激光芯片具有75和225µm的条纹宽度，并提供单（PGEW）、双（DPGEW）、三（TPGEW）或四（QPGEW）外腔版本。这些器件在垂直于芯片表面的方向上具有25°的光束发散角，在结平面内具有10°的光束扩展。功率输出在整个MIL规格温度范围内表现出极佳的稳定性。使用金属有机化学气相沉积（MOCVD）来制造结构。在涉及光纤耦合应用的情况下，外腔有源区的横向间隔将更多的光功率集中到更小的几何结构中，从而允许增加耦合到光纤中的光功率。峰值波长集中在大多数硅光电二极管的较大响应度附近。PGEW激光器与Excelitas EPI-APD系列C30737的器件匹配得特别好。这些器件非常适合以成本为首要考虑因素且需要大批量生产能力的应用。

波长: 630 to 640 nm输出功率: 0.01 W

Meshtel公司的MLD635-10S9N3是一种激光二极管，波长为630至640 nm，输出功率为0.01 W，工作电压为2.2至2.4 V，工作电流为0.055至0.075 A，阈值电流为40至60 mA.有关MLD635-10S9N3的更多详细信息，请参阅下文。

波长: 775 to 795 nm输出功率: 0.03 W

Laser Components的LCQ78530S5N/M/P是一款激光二极管，波长为775至795 nm，输出功率为0.03 W，工作电压为8至2.6 V，工作电流为0.055至0.075 A，阈值电流为20至30 mA.有关LCQ78530S5N/M/P的详情，请参阅下文。