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下载规格书 将来自光纤耦合半导体激光管的光耦合到有源光纤中是一个复杂的过程。 这对于MOPA配置来说尤其如此（图2），在这种情况下，两者都需要注入输入种子源和泵浦光源。
全部产品分类
QLD0593-32xx概述
QD Laser的QLD0593-32xx是一款激光二极管，波长为532 nm，输出功率为0.005至0.03 W，输出功率（CW）为0.005至0.03 W.有关QLD0593-32xx的更多详细信息，
QLD0593-32xx参数
- 技术 / Technology : Distributed Feedback Laser (DFB)
- 工作模式 / Operation Mode : Pulsed Laser
- 波长 / Wavelength : 532 nm
- 输出功率 / Output Power : 0.005 to 0.03 W
- 类型 / Type : Free Space Laser Diode
QLD0593-32xx规格书
QLD0593-32xx厂家介绍
QD Laser，Inc.是一家为电信/数据通信、消费电子和工业应用提供高效半导体激光器解决方案的领先供应商。我们在市场上脱颖而出的是我们的产品价值，从532，1000到1310nm的精细调谐波长，高温操作和稳定性，以及在砷化镓平台上的大规模生产能力。我们的产品具有可靠性，帮助我们的客户在各种应用中创造新的激光市场，如LAN/FTTH、光学互连、材料加工、传感、激光投影等。
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图片名称分类制造商参数描述
- Fabry-Pérot Laser Diode-LD-13XX-YY-150-1309nm半导体激光器Innolume GmbH
输出功率: 150mW
•150/250/300mW输出功率Ex-单模光纤 •可用波长范围1280-1330nm •专有镜面涂层技术，实现高可靠性 •PM980或HI1060光纤 •单独老化和热循环筛选 •可选监控光电二极管 •符合RoHS规范
- PLT5 520B Metal Can® TO56半导体激光器Osram Opto Semiconductors
输出功率: 80mW
绿色激光二极管，采用TO56封装
- SPL BY81-15-34-00C 808 nm 高功率激光二极管 巴条半导体激光器Osram Opto Semiconductors
输出功率: 500000 mW
80%填充系数，808 nm，500 W（QCW） 同时提供980nm/现货/如有需要请咨询联系我们
- HL63520HD半导体激光器Ushio Inc.
波长: 638 nm
Ushio Opto Semiconductors的HL63520HD是一款638 nm AlGaInP激光二极管。该激光二极管在-10°C至45°C的工作温度范围内提供了3.5W的脉冲光输出功率（脉冲周期=120 Hz，占空比=30%），在55°C的工作温度上限下实现了2.5W的脉冲光输出功率。即使在CW操作中，红色激光二极管也实现了2.4W的光输出功率，并实现了超过20，000小时的MTTF.它可以在脉冲和CW操作模式下集成到投影仪中。它采用9 mm TO-CAN封装，非常适合激光投影仪和光学设备应用。
- uniMir半导体激光器Mir Sense
波长: 4 to 10 um输出功率: 50 mW
来自MIR SENSE的UNIMIR是一个激光二极管，波长为4至10 um，输出功率为50 MW，工作电压为10.3 V，工作电流为0.78 A.有关UNIMIR的更多详细信息，请参见下文。
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