紧凑型光子芯片的精确热控制:玻璃基板集成微热电冷却器(SimTEC)
光子学提供了各种优势,包括通过利用光特性在光学数据通信、生物医学应用、汽车技术和人工智能领域实现高速低损耗通信。这些优势是通过复杂的光子电路实现的,包括集成在光子芯片上的各种光子元件。
更新时间:2023-02-23 15:55:14
EYP-BAL-0980-08000-4020-CMT04-0000概述
Toptica Eagleyard的EYP-BAL-0980-08000-4020-CMT04-0000是一款激光二极管,波长980 nm,输出功率0至8 W,工作电流13 A,阈值电流0至2500 mA,输出功率(CW)0至8 W.EYP-BAL-0980-08000-4020-CMT04-0000的更多详情见下文。
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输出功率: 3000mW
FLX-780-3000M-150是一款多模半导体激光器。在780nm波长下连续输出3000mW的二极管。可用的封装包括B-mount、C-mount、Q-mount、9mm TO CAN、TO-3 CAN和HHL。它适用于各种光电应用。
近红外脉冲半导体激光器通常用于长距离飞行时间或相移测距仪或激光雷达系统。Excelitas提供各种理想的脉冲905 nm激光器设计,包括多腔单片结构,每个芯片较多有4个有效区域,可产生高达100 W的峰值光输出功率。激光器芯片的物理堆叠也是可能的,产生高达300W的峰值光输出功率。板上芯片组件可用于混合集成。有6种金属密封封装类型可供选择,适用于恶劣环境应用。对于大批量应用,可提供模制环氧树脂TO-18型封装和表面贴装超模压陶瓷覆晶封装。关键参数是脉冲宽度和上升/下降时间。可以减小脉冲宽度,从而允许增加的电流驱动并导致更高的峰值光功率。量子阱激光器设计提供<1ns的上升和下降时间,但驱动电路布局和封装电感在决定上升/下降时间方面起着更大的作用,因此应进行相应的设计。为此,Excelitas提供了具有不同电感值的多种封装类型。我们的核心能力包括:MOVPE晶圆生长;生长的GaAs晶片的晶片处理;使用环氧树脂或焊料芯片附着的组件;引线框架上激光器的环氧树脂封装密封产品符合MIL STD和客户要求。
波长: 758 to 764 nm输出功率: 0.0025 to 0.005 W
来自Qphotonics的QDMLD-760-5是波长为758至764 nm、输出功率为0.0025至0.005 W、阈值电流为40 mA、输出功率(连续波)为0.0025至0.005 W的激光二极管。有关QDMLD-760-5的更多详细信息,请参见下文。
波长: 976 nm输出功率: 1.5 W
来自QPC Lasers的Brightlock 4609-0000是一款激光二极管,波长为976 nm,输出功率为1.5 W,工作电压为1.5 V,工作电流为2.8 A.Brightlock 4609-0000的更多详细信息可在下面查看。
波长: 808 nm输出功率: 40 W
Northrop Grumman公司的ARR97C040-2是一种波长为808nm、输出功率为40W、工作电压为1.9V、工作电流为43A、阈值电流为7000mA的激光二极管。有关ARR97C040-2的更多详细信息,请参阅下文。
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