平凸球面透镜属于最基础且应用广泛的折射型光学元件,由一面凸球面与一面平面组合而成,具备光束汇聚、焦点调制、准直成像等核心光学功能,是激光系统、光谱仪器、工业视觉、科研实验光路当中不可或缺的元器件。
81606A
光电测试 DWDM测试 PON测试 可调谐激光源 CWDM测试 Keysight产品
Keysight Technologies的8160xx系列可调谐激光源提供从1240nm到1650nm的完整波长范围,无波长间隙,适用于光电测试和测量。
顶刊高频之选
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专业选型
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正规认证
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品质保障
严格把控产品质量,呈现理想的光电产品,确保每一件产品都能满足您的专业需求。
概述
参数
- 波长范围 / Wavelength Range : 1240nm至1650nm
- 波长分辨率 / Wavelength Resolution : 0.1pm, 12.5MHz在1550nm
- 最大扫描速度 / Maximum Sweep Speed : 200nm/s, 双向
- 波长稳定性 / Wavelength Stability : ≤1pm, 24小时
- 线宽(典型值) / Linewidth (Typical) : 10kHz
- 最大输出功率(连续功率) / Maximum Output Power (Continuous Power) : +12dBm
- 旁模抑制比 / Side-Mode Suppression Ratio : ≥80dB/nm
- 相对强度噪声 / Relative Intensity Noise : -145dB/Hz (1520nm至1610nm)
- 信号到源自发辐射比 / Signal To Source Spontaneous Emission Ratio : ≥70dB
- 信噪比 / Signal To Total Source Spontaneous Emission Ratio : ≥65dB
- 绝对波长精度[pm] / Absolute Wavelength Accuracy : ±10pm, 典型值±3.6pm
- 相对波长精度 / Relative Wavelength Accuracy : ±5pm, 典型值±2pm
- 波长重复性 / Wavelength Repeatability : ±0.8pm, 典型值±0.5pm
- 功率稳定性 / Power Stability : 典型值±0.03dB, 24小时
- 功率线性度 / Power Linearity : ±0.1dB
- 功率平坦度 / Power Flatness Versus Wavelength : ±0.25dB, 典型值±0.1dB
应用
1. 测试粗波分复用(CWDM)和密波分复用(DWDM)组件 2. 测试无源光网络(PON) 3. 硅光子学应用中的光学器件测试
特征
1. 提供完整波长范围,无波长间隙 2. 高动态范围和低自发辐射 3. 支持双向快速扫描 4. 内置实时波长计,确保精确调谐
图片集
规格书
AI 智能分析
该产品已被2篇SCI论文引用
基于平台30万篇光学领域SCI论文分析
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宽带高均匀性多模锥形分支Y型光束分路器
多模 分束器 宽带宽 高均匀性 锥形分支
本文基于绝缘体上硅平台提出并分析了一种高均匀性、宽带宽的Y型分束器。通过将均匀分支替换为多模锥形分支,显著提升了两个输出端口的带宽和功率均匀性。此外,通过增大分束角降低了对制备精度的敏感性。仿真与实验结果表明:该器件带宽超过100纳米,两个输出端口功率均匀性提升4分贝,插入损耗低于0.6分贝,回波损耗高于26分贝。
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波导集成硅基锗p-i-n光电二极管对中子位移损伤的响应
位移损伤 光子学 辐射效应 中子辐射 光电二极管 光电子器件
已研究了14 MeV中子位移损伤(DD)对硅光子学中波导集成锗硅p-i-n光电二极管(PD)的影响,中子注量最高达7.5×10¹² n/cm²(14 MeV)或1.4×10¹³ n1-MeVeq/cm²(Si)。研究内容包括:150-375 K温度范围内的暗电流-电压特性测量、PD结电容测量、1260 nm至1360 nm波段的光谱响应测量以及频率响应测量。发现这些器件易受DD诱导的载流子移除效应影响;但在所研究的DD剂量水平下,其性能未出现显著退化仍可正常工作。由于PD测试芯片包含将光信号传输至PD的硅光子集成光栅耦合器和波导,因此也可推断DD对这些无源器件的影响。本研究未考察DD的短期退火或瞬态行为,仅关注室温退火初始阶段后残留的永久性损伤。
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光电信息科学与工程实验方案1
1. 实验设计与方法选择:本研究设计了一种带有多模锥形分支的Y型分束器,以提高带宽和功率均匀性。采用理论分析和FDTD仿真方法。 2. 样本选择与数据来源:研究使用均匀分支、S型分支和锥形分支模型进行对比。数据通过仿真和实验制备获取。 3. 实验设备与材料清单:电子束光刻(EBL)加工技术、SOI平台、Keysight 81608A可调光源、Keysight N7744A光功率计。 4. 实验流程与操作步骤:制备过程包括涂覆电子束光刻胶、电子束曝光、刻蚀及沉积SiO2包层。测试环节测量插入损耗和回波损耗。 5. 数据分析方法:计算并比较不同模型的插入损耗和回波损耗。通过移动尖端模拟工艺误差来分析功率均匀性。
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光电信息科学与工程实验方案2
1. 实验设计与方法选择:本研究采用14 MeV中子辐照波导集成硅基锗p-i-n光电二极管,以探究位移损伤效应。测量内容包括暗态电流-电压特性、光电二极管结电容、光谱响应及频率响应。 2. 样本选择与数据来源:三组芯片接受不同注量辐照,另设对照组。分别在辐照前后进行测量。 3. 实验设备与材料清单:设备包括Keithley 2400源测量单元、Keysight E8361C精密网络分析仪及Lake Shore Cryotronics MTD-150闭循环表征系统。 4. 实验流程与操作步骤:器件在无偏置状态下辐照,随后经历室温退火期再进行表征测试。测量覆盖多温度范围及偏置条件。 5. 数据分析方法:通过拟合模型提取结电容和理想因子等参数,并对比辐照前后的性能指标。
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