怀柔科学城近期发布的产业扶持新政,将最高3500万元的重磅资金投向了科学仪器与传感器领域。这一政策信号,精准指向了现代高端制造业与前沿科研的“感知”与“测量”基石。在电子电工与光电技术的深度融合地带,科学仪器与传感器的演进,本质上是光、电、材料、信息处理等多学科交叉的系统工程。政策扶持不仅加速国产化替代,更深层次是驱动从核心光电转换器件、精密模拟前端电路到智
TLG-300
光通信 光学测量 高精度 多通道 窄线宽 可调谐
TLG-300是一款多通道窄线宽可调谐激光器,支持未来的通道扩展,主机框架可级联以容纳超过160个通道,固件记忆“最后设置”以实现无忧启动。
顶刊高频之选
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专业选型
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正规认证
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品质保障
严格把控产品质量,呈现理想的光电产品,确保每一件产品都能满足您的专业需求。
参数
- 插槽容量 / Slot Capacity : 12units
- 最大激光模块容量 / Max Laser Module Capacity : 48channels
- PC接口 / PC Interface : USB
- PC接口 / PC Interface : GPIB
- PC接口 / PC Interface : Ethernet
- 激光安全 / Laser Safety : Front Panel Key-Lock, Software-Based Interlock
- 供电 / Power Supply : AC100-240(50/60Hz)Vac
- 功耗 / Power Consumption : ≤650W
- 尺寸(宽×高×深) / Dimensions(W×H×D) : 448×177×540mm
- 重量 / Weight : <16kg
- 输出功率范围 / Output Power Range(C-Band) : +7至+15.5dBm
- 输出功率范围 / Output Power Range(L-Band) : +7至+13dBm
- 波长范围 / Wavelength Range(C-Band) : 1527.60至1565.50nm
- 波长范围 / Wavelength Range(L-Band) : 1570.01至1608.76nm
- 频率范围 / Frequency Range(C-Band) : 191.50至196.25THz
- 频率范围 / Frequency Range(L-Band) : 186.35至190.95THz
- 频率微调分辨率 / Frequency Fine Tune Resolution : <100kHz
- 边模抑制比 / Side Mode Suppression Ratio(SMSR) : >40dB
- 相对强度噪声 / RIN : <-145dB/Hz
- 偏振消光比 / Polarization Extinction Ratio(PER) : ≥20dB
- 光纤 / Optical Fiber : PMF
- 光学连接器 / Optical Connector : FC或SC, SPC或APC
应用
1. 光通信系统测试 2. 光学传感器开发 3. 光谱分析 4. 高精度光学测量
特征
1. 插槽配置支持未来的通道扩展 2. 主机框架可级联以容纳超过160个通道 3. 固件记忆“最后设置”以实现无忧启动 4. 窄线宽激光输出 5. 支持远程控制
图片集
规格书
AI 智能分析
该产品已被1篇SCI论文引用
基于平台30万篇光学领域SCI论文分析
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基于塔姆等离子体的近红外波长选择性热电子光电探测器
热电子光电探测器 近红外 波长选择性光电探测 Tamm等离子体结构 通信波长
由金属薄膜和分布式布拉格反射器(DBR)组成的塔姆等离子体(TP)结构能实现显著的光限制效应,使金属薄膜在TP共振波长处产生增强吸收。这种波长依赖性吸收可通过金属薄膜中高能热电子的内光电发射转化为电信号。本研究首次通过将TP结构顶部的金属薄膜替换为金属-半导体-氧化铟锡(M-S-ITO)构型的热电子器件,在实验上实现了1550纳米通信波段附近的波长选择性光响应。该M-S-ITO结被刻意设计为具有低能垒和非对称热电子产生特性,从而确保即使对于光子能量0.8电子伏特(1550纳米)的亚带隙入射光也能产生可测量的净光电流。由于M-S-ITO结构中金属薄膜与底层DBR之间激发的TP模式,所制备的TP耦合热电子光电探测器在1581纳米波长处呈现带宽43纳米的尖锐反射率凹陷。其光响应与吸收谱相匹配,在吸收峰波长1581纳米处达到最大值8.26纳安/毫瓦,当照明波长仅偏移52纳米(从1581至1529纳米)时响应度下降超过80%,从而实现了高调制波长选择性光电探测器。本研究展示了一种高性能、免光刻且波长选择性的热电子近红外光电探测器结构。
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光电信息科学与工程实验方案
1. 实验设计与方法选择:本研究设计并制备了基于分布式布拉格反射镜(DBR)的金属-半导体-氧化铟锡(M-S-ITO)结构TP耦合热电子光电探测器。该设计利用Tamm等离激元的局域光特性实现波长选择性光电探测。 2. 样品选择与数据来源:样品采用射频磁控溅射法在熔融石英基底上制备。光学性能通过傅里叶变换红外光谱仪测量,电学性能通过可调谐激光光源测试。 3. 实验设备与材料清单:设备包括用于薄膜沉积的射频磁控溅射系统、用于反射率测量的傅里叶变换红外光谱仪及用于光电流测量的可调谐激光光源。材料包含锗(Ge)、二氧化硅(SiO2)、氧化铟锡(ITO)、氧化锌(ZnO)、钛(Ti)和金(Au)薄膜。 4. 实验流程与操作步骤:制备过程依次在石英基底上沉积DBR层和M-S-ITO层。通过反射光谱表征光学特性,采用单色光照射下的光电流测量评估光电响应。 5. 数据分析方法:采用严格耦合波分析法解析光学行为,并将光电响应与吸收谱关联以验证波长选择性探测特性。
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称呼
电话
单位名称
用途