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下载规格书 人们对各种半导体激光器的外部光反馈效应进行了深入研究 [1] - [3]。从法布里-珀罗（FP）激光器到 DFB 和 DBR 激光器，这些反馈效应对所有半导体激光器都有同样的影响。 有五种反馈状态决定了半导体在外部反馈下的工作方式。
全部产品分类
940纳米VCSEL芯片V00081 - 高功率概述
该产品为GaAs VCSEL芯片技术，采用940nm波长，具备3W脉冲光功率，多模辐射特性，以及2kV的ESD耐受能力。
940纳米VCSEL芯片V00081 - 高功率参数
- 操作/焊接温度 / Operation/Solder Temperature : -40°C - 110°C
- 储存温度 / Storage Temperature : -40°C - 110°C
- 正向电流(脉冲操作) / Forward Current (Pulsed Operation) : 5 A
- 正向电流(直流操作) / Forward Current (DC Operation) : 10 A
- 反向电压 / Reverse Voltage : Not designed for reverse operation
- ESD耐受电压 / ESD Withstand Voltage : 2 kV
- 正向电压 / Forward Voltage : 2.3 V
- 输出功率 / Output Power : 3.6 W
- 阈值电流 / Threshold Current : 0.5 A
- 斜率效率 / Slope Efficiency : 1.0 W/A
- 功率转换效率 / Power Conversion Efficiency : 40%
- 峰值波长 / Peak Wavelength : 930nm - 950nm
- 光谱带宽(FWHC) / Spectral Bandwidth At FWHC : 2 nm
- 波长温度系数 / Temperature Coefficient Of Wavelength : 0.066 nm/K
- 视场角(FWHC) / Field Of View At FWHC : 18°
940纳米VCSEL芯片V00081 - 高功率应用
1.根据IEC 60825-1安全预防措施使用，2.适用于需要高浓度可见光和非可见光的设备。
940纳米VCSEL芯片V00081 - 高功率特征
1.采用GaAs VCSEL芯片技术，2.940nm激光波长，3.3W脉冲光功率，4.多模辐射特性，5.符合IEC 60825-1第三版2014年5月及21 CFR 1040.10和1040-10.11标准（除特定偏离）。
940纳米VCSEL芯片V00081 - 高功率图片集
940纳米VCSEL芯片V00081 - 高功率规格书
940纳米VCSEL芯片V00081 - 高功率厂家介绍
Vixar是欧司朗（AMS Osram）的子公司，凭借多样化的VCSEL产品组合成为市场做的较好的。Vixar制造用于传感器和设备应用的VCSEL芯片、SMD封装和光学模块。Vixar为欧司朗带来了一支经验丰富的团队，他们在半导体激光器设计、可靠性和封装方面拥有专业知识。 我们开发标准产品和定制解决方案，以支持生物医学、工业、汽车和消费行业的新兴技术。这些客户将受益于降低的功耗、相干性、特定波长或光谱宽度、窄光束或小光斑尺寸或多光束激光芯片。 Vixar已经建立了一个制造基础设施和供应链，提供大批量生产。Vixar将较好的设计专业知识与较有能力的制造合作伙伴相结合。在标准流程中利用多个合作伙伴的国内和离岸能力，并根据快速增长的市场需求灵活地定制和扩展产品。
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图片名称分类制造商参数描述
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波长: 405nm输出功率: 150mW
该激光模块提供超稳定的功率性能，具有VBG锁定线宽和/或精确的功率控制，与我们的其他Novatru模块一样紧凑。它还提供多模式和单模式版本。
- QFLD-1550-10S半导体激光器QPhotonics
波长: 1551 nm输出功率: 0 to 0.01 W
来自Qphotonics的QFLD-1550-10S是波长为1551nm的激光二极管，输出功率为0至0.01W，工作电压为1.44V，工作电流为0.11至0.11A，阈值电流为38mA.有关QFLD-1550-10S的更多详细信息，请参阅下文。
- DFB-2182-005半导体激光器Sacher Lasertechnik
波长: 2182 nm输出功率: 0.003 W
来自Sacher Lasertechnik的DFB-2182-005是一款激光二极管，波长为2182 nm，输出功率为0.003 W，工作电流为65至120 mA，阈值电流为15至45 mA，输出功率（CW）为0.003 W.DFB-2182-005的更多详情见下文。
- QL78F6HG-Q半导体激光器Quantum Semiconductor International
波长: 775 to 790 nm输出功率: 10 mW
来自Quantum Semiconductor International的QL78F6HG-Q是一种激光二极管，波长为775至790 nm，输出功率为10 MW，工作电压为1.5至2.5 V，工作电流为33至44 mA.有关QL78F6HG-Q的更多详细信息，请参阅下文。
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