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下载规格书 激光二极管在太空应用中已使用多年。 它们的主要用途是作为固态激光器的泵浦，并为这些应用开发了鉴定方法。
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850纳米VCSEL芯片V00133 - 高功率参数
- 波长 / Wavelength : 850 nm
- 光功率 / Optical Power : 10 W
- 操作/焊接温度 / Operation/Solder Temperature : -40°C to 110°C
- 储存温度 / Storage Temperature : -40°C to 110°C
- 正向电流(脉冲操作) / Forward Current (Pulsed Operation) : max. 10 A
- 正向电流(直流操作) / Forward Current (DC Operation) : max. 20 A
- 反向电压 / Reverse Voltage : Not designed for reverse operation
- 静电放电耐受电压 / ESD Withstand Voltage : max. 2 kV
- 正向电压 / Forward Voltage : typ. 2.1 V
- 输出功率 / Output Power : typ. 10 W
- 阈值电流 / Threshold Current : typ. 2.7 A
- 斜率效率 / Slope Efficiency : typ. 1.0 W/A
- 电源转换效率 / Power Conversion Efficiency : typ. 40%
- 峰值波长 / Peak Wavelength : 840 nm to 860 nm
- 光谱带宽FWHM / Spectral Bandwidth At FWHM : typ. 2 nm
- 波长温度系数 / Temperature Coefficient Of Wavelength : typ. 0.06 nm/K
- 视场角(FWHM) / Field Of View At FWHM : typ. 18°
850纳米VCSEL芯片V00133 - 高功率应用
1.根据IEC 60825-1安全预防措施，该设备在不同操作模式下可发出高度集中的可见光和非可见光，可能对人眼造成危害。2.产品集成这种设备时，必须遵循IEC 60825-1中给出的安全预防措施。
850纳米VCSEL芯片V00133 - 高功率特征
1.芯片技术：GaAs VCSEL。2.激光波长：850纳米。3.光功率等级：10瓦。4.辐射特性：多模。5.静电放电(ESD)：2千伏，符合ANSI/ESDA/JEDEC JS-001 (HBM, Class 2)。
850纳米VCSEL芯片V00133 - 高功率图片集
850纳米VCSEL芯片V00133 - 高功率规格书
850纳米VCSEL芯片V00133 - 高功率厂家介绍
Vixar是欧司朗（AMS Osram）的子公司，凭借多样化的VCSEL产品组合成为市场做的较好的。Vixar制造用于传感器和设备应用的VCSEL芯片、SMD封装和光学模块。Vixar为欧司朗带来了一支经验丰富的团队，他们在半导体激光器设计、可靠性和封装方面拥有专业知识。 我们开发标准产品和定制解决方案，以支持生物医学、工业、汽车和消费行业的新兴技术。这些客户将受益于降低的功耗、相干性、特定波长或光谱宽度、窄光束或小光斑尺寸或多光束激光芯片。 Vixar已经建立了一个制造基础设施和供应链，提供大批量生产。Vixar将较好的设计专业知识与较有能力的制造合作伙伴相结合。在标准流程中利用多个合作伙伴的国内和离岸能力，并根据快速增长的市场需求灵活地定制和扩展产品。
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图片名称分类制造商参数描述
- JOLD 976nm Fiber-Coupled Diode Laser半导体激光器RPMC Lasers Inc.
波长: 976nm输出功率: 140000mW
特点：•高光输出功率高达140 W CW•纤芯直径：400μm（NA 0.22）•长寿命>20，000小时，高可靠性•可进行空气冷却
- QFLD-1550-1S半导体激光器QPhotonics
波长: 1561 nm输出功率: 0 to 0.0015 W
来自Qphotonics的QFLD-1550-1S是波长为1561nm、输出功率为0至0.0015W、工作电压为1.45V、工作电流为0.1至0.1A、阈值电流为38mA的激光二极管。有关QFLD-1550-1S的更多详细信息，请参阅下文。
- B-106-118半导体激光器SemiNex Corporation
波长: 1480 nm(+/-20)输出功率: 4.8 W
Seminex公司的B-106-118是一款激光二极管，波长为1480 nm（+/-20），输出功率为4.8 W，工作电压为1.8 V，工作电流为14 A.
- IND02B200D102半导体激光器II-VI Incorporated
波长: 1330 nm波长: 见下表
来自II-VI Incorporated的IND02B200D102是波长为1330nm、工作电压为1.6V、工作电流为60至80mA、阈值电流为5至17mA的激光二极管。有关IND02B200D102的更多详细信息，请参阅下文。
- PulseLife QCW Horizontal Array半导体激光器Coherent Inc.
波长: 808 nm输出功率: 500 to 1000 W
来自Coherent Inc.的PulseLife QCW水平阵列是波长为808nm、输出功率为500至1000W、工作电压为11至14V、工作电流为109至250A的激光二极管。PulseLife QCW水平阵列的更多细节可参见下文。
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