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下载规格书 在《Light: Advanced Manufacturing》上发表的一篇新论文中，由余绍良博士和杜青阳博士领导的科学家团队开发出了新的封装技术。双光子光刻（TPL）是一种基于激光的技术，可用于创建分辨率极高的三维结构，它最近成为光子封装的一个前景广阔的解决方案，光子封装是将光子元件组装和连接成一个单一系统的过程。
全部产品分类
680纳米VCSEL V00146 - 多模式概述
一款多横模的680nm VCSEL，专为需要高效光源和可见光范围的应用而设计。该产品可以产生小尺寸、高分辨率的光斑。
680纳米VCSEL V00146 - 多模式参数
- 波长 / Wavelength : 680 nm
- 光功率 / Optical Power : 1.7-5.5 W
- 储存温度 / Storage Temperature : -40 to 125°C
- 工作温度 / Operating Temperature : -20°C to 50°C
- 引线焊接温度 / Lead Solder Temperature : 260°C, 10 seconds
- 连续波电流 / CW Current : 12mA
- 激光器反向电压 / Laser Reverse Voltage : 5V
- 阈值电流 / Threshold Current : 2.5 to 4.0mA
- 工作电压 / Operating Voltage : 2.5 to 3.0Volts
- 串联电阻 / Series Resistance : 40Ohms
- 斜率效率 / Slope Efficiency : 0.7mW/mA
- 光输出功率(30°C) / Optical Output Power At 30°C : 5.5mW
- 光输出功率(50°C) / Optical Output Power At 50°C : 1.7mW
- 反向击穿电压 / Reverse Breakdown Voltage : 10V
- 工作波长 / Operating Wavelength : 670 to 690nm
- 光束发散角1/e2 / Beam Divergence 1/E2 : 23 to 27deg
- 光束发散角FWHM / Beam Divergence FWHM : 18 to 23deg
- 波长温度系数 / Wavelength Temp. Coefficient : 0.045nm/°C
680纳米VCSEL V00146 - 多模式应用
1.医疗设备现场检测
2.生物识别传感器
3.低光激光疗法
4.工业传感器
5.脉搏血氧仪
680纳米VCSEL V00146 - 多模式特征
1.低发散角度
2.窄光谱宽度
3.低工作电流
4.沿芯片边缘的线性偏振
680纳米VCSEL V00146 - 多模式图片集
680纳米VCSEL V00146 - 多模式规格书
680纳米VCSEL V00146 - 多模式厂家介绍
Vixar是欧司朗（AMS Osram）的子公司，凭借多样化的VCSEL产品组合成为市场做的较好的。Vixar制造用于传感器和设备应用的VCSEL芯片、SMD封装和光学模块。Vixar为欧司朗带来了一支经验丰富的团队，他们在半导体激光器设计、可靠性和封装方面拥有专业知识。 我们开发标准产品和定制解决方案，以支持生物医学、工业、汽车和消费行业的新兴技术。这些客户将受益于降低的功耗、相干性、特定波长或光谱宽度、窄光束或小光斑尺寸或多光束激光芯片。 Vixar已经建立了一个制造基础设施和供应链，提供大批量生产。Vixar将较好的设计专业知识与较有能力的制造合作伙伴相结合。在标准流程中利用多个合作伙伴的国内和离岸能力，并根据快速增长的市场需求灵活地定制和扩展产品。
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图片名称分类制造商参数描述
- LDX-Optronics-LDX--2306-635半导体激光器RPMC Lasers Inc.
输出功率: 300mW
自1990年开放以来，LDX一直专注于宽条多模激光二极管，主要是红色波长，但也有其他专业波长，如760、1030、1065、1120、1450、1540 nm等专业波长。LDX可以生产几乎所有常见的单发射器激光二极管封装，包括C-Mounts、TO-18、9 mm CAN、TO-3、高热负荷封装（HHL）、各种光纤耦合封装等。LDX提供的一些波长比通常的激光二极管更热敏感。这些器件出色的热管理对于可靠性和长寿命至关重要。我们多年经验中的技能被用于我们所有的包装中。关于RPMC LDX的实验室和办公室位于田纳西州的玛丽维尔。.
- Seminex Collimated High Power Multi-Mode Laser Diode 1580nm 2W半导体激光器FrankFurt Laser Company
输出功率: 2000mW
Seminex在13xx和17xx nm之间的红外波长下提供较高的可用功率。必要时，我们将进一步优化我们的InP激光器芯片的设计，以满足客户特定的光学和电气性能需求。二极管、线棒和封装都经过测试，以满足客户和市场的性能需求。显示了典型结果和封装选项。联系法兰克福激光公司了解更多详情或讨论您的具体要求。
- Seminex High Power Multi-Mode Laser Diode 1525nm 1.3W半导体激光器FrankFurt Laser Company
输出功率: 1300mW
Seminex在13xx和17xx nm之间的红外波长下提供较高的可用功率。必要时，我们将进一步优化我们的InP激光器芯片的设计，以满足客户特定的光学和电气性能需求。二极管、线棒和封装都经过测试，以满足客户和市场的性能需求。显示了典型结果和封装选项。联系法兰克福激光公司了解更多详情或讨论您的具体要求。
- U-LD-650541A/B LASER DIODE半导体激光器Union Optronics Corp.
输出功率: 5mW
U-LD-65xx系列激光二极管
- 131F-10I-LT5RC半导体激光器MACOM
波长: 1310 nm
Macom的131F-10I-LT5RC是一款激光二极管，波长为1310 nm，工作温度为-40至85摄氏度。有关131F-10I-LT5RC的更多详细信息，请参见下文。
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