1450nm半导体激光管-连续/脉冲-3种型号DFB版本和布拉格版本

输出功率: 1000mW

FIDL-1000M-950X是950nm InGaAs/GaAs多量子阱结构用MOCVD半导体激光器制作。低阈值电流和高斜率效率有助于降低工作电流，从而提高可靠性。FIDL-1000M-950X光源是一种连续多模注入式半导体激光二极管，内置监控光电二极管以稳定输出功率。该激光二极管适用于各种光电系统。

输出功率: 5mW

FKLD-5S-650-60X是650nm AlGaInP量子阱用MOCVD半导体激光器制作。低门槛电流和高斜率效率有助于降低工作电流，提高可靠性。FKLD-5S-650-60X是一款CW单模注入半导体激光器，内置监控光电二极管以稳定输出功率。该激光器适用于激光模块和其他光电系统。

输出功率: 80mW

绿色激光二极管，采用TO38 iCUT封装版本0.2。

波长: 780 to 975 nm输出功率: 40 W

诺斯罗普·格鲁曼公司的ARR187C040-H是一种激光二极管，波长为780至975 nm，输出功率为40 W，输出功率（CW）为40 W.有关ARR187C040-H的更多详细信息，请参见下文。

波长: 630 to 645 nm输出功率: 0.18 W

D6-4-635-180是EGISMOS技术公司的激光二极管，其波长为630至645 nm，输出功率为0.18 W，工作电压为2.55至3 V，工作电流为0.215至0.24 A，阈值电流为70至90 mA.有关D6-4-635-180的更多详细信息，请参阅下文。