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USHIO HL6501MG 658nm 35mW AlGaInP激光二极管 半导体激光器

USHIO HL6501MG 658nm 35mW AlGaInP激光二极管

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更新时间:2024-04-19 14:40:59

型号:

USHIO HL6501MG 658nm 35mW AlGaInP激光二极管概述

Ushio HL6501MG 658nm 35mW AlGaInP半导体激光

USHIO HL6501MG 658nm 35mW AlGaInP激光二极管参数

  • 中心波长 / Center Wavelength: : 658um
  • 输出功率 / Output Power: : 35mW

USHIO HL6501MG 658nm 35mW AlGaInP激光二极管规格书

USHIO HL6501MG 658nm 35mW AlGaInP激光二极管厂家介绍

光电公司是一家总部位于英国的公司,成立于2009年,因在全球光电市场的先进技术设计和制造方面的深入知识和经验而闻名于整个光电行业。

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图片名称分类制造商参数描述
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    波长: 1064 nm输出功率: 40 mW

    来自RPMC Lasers Inc.的LDX-4419-1064是波长为1064nm、输出功率为40mW、工作电压为1.4V、工作电流为30000mA的激光二极管。有关LDX-4419-1064的更多详细信息,请参阅下文。

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    波长: 780 to 975 nm输出功率: 100 W

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    LT1020 760-830 nm半导体激光器Leonardo Electronics US

    波长: 760 to 830 nm输出功率: 20 to 80 W

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  • 光电查
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    来自Inphenix的IPDFD1601是波长为1650至1670 nm的激光二极管,输出功率为3至5 MW,输出功率为0.00 3至0.005 W,工作电流为0.08 A,工作电流<80 mA.有关IPDFD1601的更多详细信息,请参阅下文。

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