半导体激光器是通过半导体中电荷载流子对的辐射再结合产生的。与传统的激光系统相比，它们的效率更高，成本更低，所需的功率也更小，因此成为制造业、医药和能源领域的热门选择。
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U-LD-650573A/D 激光二极管
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获取报价 收藏 下载规格书 更新时间：2024-04-19 14:40:59
型号:
U-LD-650573A/D 激光二极管概述
U-LD-65xx系列激光二极管
U-LD-650573A/D 激光二极管参数
- 中心波长 / Center Wavelength: : 0.650um
- 输出功率 / Output Power: : 5mW
U-LD-650573A/D 激光二极管规格书
U-LD-650573A/D 激光二极管厂家介绍
成立于1996年5月总建筑面积6630㎡位于台湾桃园县杨梅青年拓展工业园内台湾一家专业激光二极管制造商
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图片名称分类制造商参数描述
- DL-CLS409D-S1383 Ultra Narrow Linewidth Laser半导体激光器DenseLight Semiconductors
DenseLight DL-CLS系列是采用BTF/DIL封装的冷却型超窄线宽激光器，具有单频发射功能。该激光器基于专有的外腔激光器设计，采用内置光纤布拉格光栅，提供非常稳定的激射波长性能、窄光谱线宽和出色的SMSR。建成的激光波长可以精确到1nm，并且可以通过对内部冷却器温度或驱动电流进行微调来实现更高的精度（低至皮米范围）。该设备可以进行高达622Mbps的强度调制。高速频率调制可以通过直接调制其驱动电流来实现。典型连续输出功率可达20mW，脉冲功率可达50mW。定制型号可提供更高的输出功率。
- FDL-780-2W-TAL Tapered Amplifier for External Cavity Setups半导体激光器FrankFurt Laser Company
输出功率: 2000mW
GaAs基锥形放大器用于极端谐振器配置中，以将高达2000W的近衍射极限输出功率与小谱线宽度和高边模抑制比相结合。它们的后端面具有小于0.01%的高抗反射涂层，以保证与光栅的良好耦合。前表面具有抗反射涂层，以保护芯片不受背向反射的影响。典型的应用是高分辨率吸收光谱或非线性倍频。
- OZ OPTICS HIPFOSS-02-3A-980-10-BL-ER=40半导体激光器OZ Optics
波长: 980nm输出功率: 1mW
OZ Optics生产各种波长的高度稳定的偏振光纤光源（HIPFOSS）。这些光源具有卓越的功率和波长稳定性，同时提供高达40dB以上的偏振光。这是通过热稳定激光二极管源来实现的，包括一个隔离器来阻止来自寄生反射的任何反馈，并利用经过严格光学质量测试的光学器件。较终结果是一种用于精确测量的理想光源。
- Tunable Monolux Quantum Cascade Laser at 9.5um半导体激光器Pranalytica, Inc
Pranalytica的可调谐Monolux QCL系统。
- TO9-133-139半导体激光器SemiNex Corporation
波长: 1525 nm(+/-20)输出功率: 14 w
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