可调谐激光光源KLS-201A（1064）。

近红外脉冲半导体激光器通常用于长距离飞行时间或相移测距仪或激光雷达系统。Excelitas提供各种理想的脉冲905 nm激光器设计，包括多腔单片结构，每个芯片较多有4个有效区域，可产生高达100 W的峰值光输出功率。激光器芯片的物理堆叠也是可能的，产生高达300W的峰值光输出功率。板上芯片组件可用于混合集成。有6种金属密封封装类型可供选择，适用于恶劣环境应用。对于大批量应用，可提供模制环氧树脂TO-18型封装和表面贴装超模压陶瓷覆晶封装。关键参数是脉冲宽度和上升/下降时间。可以减小脉冲宽度，从而允许增加的电流驱动并导致更高的峰值光功率。量子阱激光器设计提供<1ns的上升和下降时间，但驱动电路布局和封装电感在决定上升/下降时间方面起着更大的作用，因此应进行相应的设计。为此，Excelitas提供了具有不同电感值的多种封装类型。我们的核心能力包括：MOVPE晶圆生长；生长的GaAs晶片的晶片处理；使用环氧树脂或焊料芯片附着的组件；引线框架上激光器的环氧树脂封装密封产品符合MIL STD和客户要求。

产品型号 :1650LD 这些光纤耦合 1650 nm半导体激光管作为现货提供也可以和连续或脉冲半导体激光管驱动器集成作为整体光源模块交付。 4 个型号单频版本，较高 100 mW连续输出和 150 mW 脉冲。 它们与我们的高速纳秒脉冲驱动器或超低噪声驱动器兼容，这使其成为光纤测试应用（光时域反射仪（OTDR） 或 CH4 气体传感）的较佳解决方案。 这些单模 1650 nm半导体激光管可以在纳秒脉冲范围内达到高功率。 大多数集成激光管和驱动器的光源模块均经过优化，以保证脉冲（脉宽低至1纳秒）到连续工作模式下的性能表现。 此类光源模块可输出由内部板载脉冲发生器或外部TTL电平触发的高精度1650nm激光脉冲。 便于进行复杂的突发脉冲整形。

波长: 1565 nm输出功率: 0.425 W

TO9-150-108是Seminex公司生产的波长为1565nm，输出功率为0.425W，工作电压为1.4V，工作电流为7A，阈值电流为500mA的半导体激光器。有关TO9-150-108的更多详细信息，请参阅下文。

波长: 532 nm输出功率: 0.000001 to 0.000025 W

Blue Sky Research的FMXL-532-ZZZ-Q-FCW是一款激光二极管，波长为532 nm，输出功率为0.000001至0.000025 W，工作电压为2.7 V，工作电流为300至450 mA，输出功率（CW）为0.000001至0.000025 W.有关FMXL-532-ZZZ-Q-FCW的更多详细信息，请参见下文。

波长: 1320 nm输出功率: 4.5 W

来自Akela Laser Corporation的ALC-1320-4500-CB是波长为1320nm、输出功率为4500mW、输出功率为4.5W、工作电压为1.5V、工作电流为9A的激光二极管。