用于光通信和长距离激光雷达的具有极低多余噪声的新型光电二极管
光脉冲以闪光的形式出现,用于在高速光纤中传输信息,并越来越多地用于光探测和测距(LIDAR)的3维成像。
概述
Seminex在13xx和17xx nm之间的红外波长下提供较高的可用功率。必要时,我们将进一步优化我们的InP激光器芯片的设计,以满足客户特定的光学和电气性能需求。二极管、线棒和封装都经过测试,以满足客户和市场的性能需求。显示了典型结果和封装选项。联系法兰克福激光公司了解更多详情或讨论您的具体要求。
参数
规格书
厂家介绍
相关产品
NORCADA专注于近红外和中红外光谱区的单模分布反馈(DFB)半导体二极管激光器,用于气体传感和可调二极管激光吸收光谱(TDLAS)应用。我们的半导体中红外DFB激光器是使用MBE生长的InGaAsSb/AlGaAsSb量子阱结构制造的,该材料系统理想地适用于1900-3600nm的波长范围。中红外DFB激光器为工业安全监控应用感兴趣的许多气体种类提供显著更高的传感灵敏度。我们根据客户的应用,为我们的激光产品提供标准TO式封装和光纤耦合封装。对于TO封装,我们有两种标准格式:TO39(TO5)和TO66。所有标准封装都在封装内配备微型热电冷却器(TEC),以保持激光温度的稳定性。TO39和TO66封装都带有倾斜的密封光学窗口(7度倾斜),以较大限度地减少背向反射。蝶式封装在单模光纤中为客户提供光纤耦合激光输出,该单模光纤通过FC/APC类型的连接器端接。
输出功率: 10mW
FARL-10S-780-TO56半导体激光器780nm 10mW。
输出功率: 1000mW
GaAs基锥形放大器用于现有种子激光器的放大。在10mW和30mW之间的种子功率可以被放大到接近1000W的衍射极限功率值。这种设置称为MOPA(主振荡器功率放大器)。后端面和前端面都具有小于0.01%的抗反射涂层,以避免放大器芯片本身的激光作用。具有锥形放大器的MOPA装置的应用实例是光学冷却、高分辨率吸收的光阱或拉曼光谱学。
输出功率: 10mW
FTLD-1530-10S是基于GaInAsP/InPPBC量子阱结构的1530nm半导体激光器,采用MOCVD和LPE工艺制备。FTLD-1530-10S是一种连续单模注入式半导体激光器,主要特点是可靠性高、灵敏度低。它采用SOT-148外壳,内置监控光电二极管和蝶形外壳,内置监控光电二极管、TEC、热敏电阻和微光学器件。该激光器适用于各种光电系统。
波长: 880 to 900 nm输出功率: 14 W
LUICS的LU0890I140是一款激光二极管,波长为880至900 nm,输出功率为14 W,工作电压为1.6 V,工作电流为15 A,阈值电流为2000 mA.有关LU0890I140的更多详细信息,请参阅下文。
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