使用激光，研究人员可以直接控制核子的自旋，这可以编码量子信息
原则上，基于量子的设备，如计算机和传感器，在执行许多复杂任务时可以大大超过传统的数字技术。
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SemiNex B-Mounted激光二极管
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获取报价 收藏 下载规格书 更新时间：2024-04-19 14:40:59
型号:
SemiNex B-Mounted激光二极管概述
SemiNex B-Mounted激光二极管参数
- 中心波长 / Center Wavelength: : 1.47um
- 输出功率 / Output Power: : 5700mW
SemiNex B-Mounted激光二极管规格书
SemiNex B-Mounted激光二极管厂家介绍
Seminex公司生产用于军事、医疗、美容和牙科应用的高功率红外二极管激光器。Seminex的二极管激光器采用高精度磷化铟半导体材料制成，可直接高效地将电能转换为相干光能。Seminex激光器利用量子物理学的独特应用，在热效率和电效率方面提供卓越的性能，以及出色的总光功率。更好的半导体性能、效率以及更小的激光器尺寸和功耗使SEMINEX激光二极管具有极高的成本效益，尤其是在利用红外波长的一系列应用中。
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图片名称分类制造商参数描述
- LASER DIODE SOURCE FOSS-01-3S-9/125-1310-S-1半导体激光器OZ Optics
波长: 1310nm输出功率: 1mW
OZ Optics生产各种波长的光纤激光二极管光源。插座样式的源提供了广泛的插座，而尾纤式光源提供保偏、单模或多模光纤输出选择。每个信号源的前面板上都有一个低电量指示灯。
- SCW Series: High Power Instrument Laser Modules Pulsed Applications半导体激光器OSI Laser Diode, Inc.
输出功率: 180mW
OSI激光二极管公司设计了一种高功率SMF耦合激光器模块，以满足其性能要求
- CS mount 1060 nm半导体激光器Monocrom
波长: 1040 to 1080 nm输出功率: 40 to 200 W
来自MonoCrom的CS Mount 1060 nm是波长为1040至1080 nm、输出功率为40至200 W、输出功率为40至200 W、工作电流为45至230 A的激光二极管。CS Mount 1060 nm的更多细节可参见下文。
- 905D1SxxUA-Series半导体激光器Laser Components
波长: 895 to 915 nm输出功率: up to 75 W
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- LD-0635-0015-2半导体激光器TOPTICA Photonics
波长: 638.0 nm输出功率: 0.007 to 0.015 W
来自Toptica Photonics的LD-0635-0015-2是波长为638.0 nm、输出功率为0.007至0.015 W、输出功率（CW）为0.007至0.015 W的激光二极管。有关LD-0635-0015-2的更多详细信息，请参见下文。
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