收藏 
下载规格书 由于成熟的硅工艺技术、大尺寸硅片和硅的光学特性，硅（Si）光子学最近已成为许多应用领域的关键使能技术。然而，由于硅基材料无法有效发光，因此需要使用其他半导体作为光源。
全部产品分类
MIL RA 301RHD（红点激光器）概述
加固型工业激光二极管模块
MIL RA 301RHD（红点激光器）参数
- 中心波长 / Center Wavelength: : 0.635um
- 输出功率 / Output Power: : 1mW
MIL RA 301RHD（红点激光器）规格书
MIL RA 301RHD（红点激光器）厂家介绍
BEA Lasers提供用于各种应用的二极管激光器
相关内容
相关产品
图片名称分类制造商参数描述
- FBLD-976-27W-FC105-VBG-4Pin半导体激光器FrankFurt Laser Company
波长: 976nm输出功率: 27000mW
波长稳定光纤耦合激光二极管
- 680nm VCSEL Die V00146 -Multi Mode半导体激光器Vixar Inc.
波长: 680 nm
多横模680nm垂直腔面发射激光器（VCSEL）设计用于需要高效光功率源以及可见光范围。该产品可以创建具有高分辨率的小尺寸光斑。 波长：680nm；裸片尺寸：0.22毫米X 0.22毫米；单孔；推荐的较大峰值功率CW，100%DC：7mW；
- CVLL 3S350半导体激光器OSI Laser Diode, Inc.
波长: 1550 nm输出功率: 75 W
OSI Laser Diode，Inc.生产的CVLL 3S350是一款激光二极管，波长为1550 nm，输出功率为75 W，阈值电流为2000 mA，输出功率（CW）为75 W，工作温度为-40至85摄氏度。有关CVLL 3S350的更多详细信息，请参见下文。
- HL6355MG半导体激光器Ushio Inc.
波长: 630 to 640 nm输出功率: 0.007 W
Ushio公司的HL6355MG是波长为630至640nm的激光二极管，输出功率为0.007W，工作电压为2.2至2.4V，工作电流为0.027至0.036A，阈值电流为20至70mA.有关HL6355MG的更多详细信息，请参阅下文。
- VSxx-Y-250-808(Q)半导体激光器Apollo Instruments, Inc.
波长: 808 nm输出功率: 250 W
阿波罗仪器公司（Apollo Instruments，Inc.）的VSXX-Y-250-808（Q）是波长为808nm、输出功率为250W、工作电压为2V、工作电流为250A、阈值电流为26000mA的激光二极管。有关VSXX-Y-250-808（Q）的更多详细信息，请参阅下文。
相关文章
将来自光纤耦合半导体激光管的光耦合到有源光纤中是一个复杂的过程。 这对于MOPA配置来说尤其如此（图2），在这种情况下，两者都需要注入输入种子源和泵浦光源。
Photodigm DBR 激光二极管结构与同类 DFB 设计的对比
Photodigm 系列高功率边缘发射分布式布拉格反射器 (DBR) 激光二极管基于 Photodigm 专有的单一外延生长 DBR 激光结构。
《Opto-Electronic Science》发表了一篇新文章，回顾了光学纳米粒子的基本原理和应用。光学纳米粒子是光子学的关键要素之一。它们不仅能对大量系统（从细胞到微电子学）进行光学成像，还能充当高灵敏度的远程传感器。