以氮化镓为基础的led的开发和制造企业、高亮度蓝光和白光led的发明者日亚半导体(Nichia)开始了高功率红光激光二极管(LD)芯片的自主生产。这家总部位于日本的公司将从2024年春季开始销售包括新型红光LD芯片在内的激光封装产品。
概述
参数
- 中心波长 / Center Wavelength: : 0.640um
- 输出功率 / Output Power: : 40mW
规格书
相关产品
- 808nm 45W Integrated Diode Laser System DioPower半导体激光器Laser Electronics GmbH
波长: 808nm输出功率: 45000mW
Diopower方便地提供了一个集成的二极管激光系统。包括所有必要的组件,如激光二极管、激光二极管驱动器、TEC驱动器和激光二极管冷却器。客户可以根据自己的要求选择合适的激光二极管。
- Single Mode Fiber Coupled Laser Diode PL-WSLP-520-001m-4-PD半导体激光器PiLasers LLC
波长: 520nm输出功率: 1mW
单模光纤耦合激光二极管。
- LDX-4419-1064半导体激光器RPMC Lasers Inc.
波长: 1064 nm输出功率: 40 mW
来自RPMC Lasers Inc.的LDX-4419-1064是波长为1064nm、输出功率为40mW、工作电压为1.4V、工作电流为30000mA的激光二极管。有关LDX-4419-1064的更多详细信息,请参阅下文。
- QL83H6SA半导体激光器Roithner Lasertechnik
波长: 830 nm输出功率: 0.02 W
Roithner Lasertechnik的QL83H6SA是一款具有量子阱结构的单模AlGaAs红外激光二极管,工作波长为830 nm.它的光输出功率为20mW,斜率效率为0.6W/A.该激光二极管具有9°的平行光束发散角和30°的垂直光束发散角。它需要1.9 V的工作电压和45 mA的电流。该器件采用集成PD的5.6 mm TO-CAN封装,是许多工业应用的理想选择。
- CM01-3-808半导体激光器Apollo Instruments, Inc.
波长: 808 nm输出功率: 3 W
CM01-3-808是阿波罗仪器公司(Apollo Instruments,Inc.)生产的波长为808nm、输出功率为3W、工作电压为2V、工作电流为3.4A、阈值电流为800mA的激光二极管。有关CM01-3-808的更多详细信息,请参阅下文。
相关文章
紧凑型光子芯片的精确热控制:玻璃基板集成微热电冷却器(SimTEC)
光子学提供了各种优势,包括通过利用光特性在光学数据通信、生物医学应用、汽车技术和人工智能领域实现高速低损耗通信。这些优势是通过复杂的光子电路实现的,包括集成在光子芯片上的各种光子元件。
探索基于波导的增强现实显示器的进展
拉比振荡被提出来描述暴露在振荡驱动场下的两级量子系统中的强耦合和群体转移。