收藏 
下载规格书 单频半导体激光器研究取得进展：氮化硅微谐振器大大提高半导体激光器性能
洛桑联邦理工学院（EPFL）光子系统实验室（PHOSL）的团队开发出了一种芯片级激光源，在提高半导体激光器性能的同时，还能产生更短的波长。 这项开创性工作由Camille Brès教授和来自洛桑联邦理工学院工程学院的博士后研究员Marco Clementi领导，是光子学领域的重大进展，对电信、计量学和其他高精度应用具有重要意义。
全部产品分类
iFLEX-Gemini 488nm 25mW双波长激光二极管系统概述
iFLEX-Gemini 488nm 25mW双波长激光二极管系统参数
- 中心波长 / Center Wavelength: : 0.488um
- 输出功率 / Output Power: : 25mW
iFLEX-Gemini 488nm 25mW双波长激光二极管系统规格书
相关内容
相关产品
图片名称分类制造商参数描述
- LASER DIODE FAXD-1064-200S-XX半导体激光器FrankFurt Laser Company
输出功率: 200mW
FAXD-1064-200S-XX是在1064nm处具有200mW连续输出功率的单模半导体激光二极管。它适用于各种光电应用。
- QDBRLD-1064-150半导体激光器QPhotonics
波长: 1062 to 1066 nm输出功率: 0 to 0.15 W
来自Qphotonics的QDBRLD-1064-150是波长为1062至1066nm、输出功率为0至0.15W、工作电压为1.9至2.1V、工作电流为0.3至0.38A、阈值电流为35至50mA的激光二极管。有关QDBRLD-1064-150的更多详细信息，请参阅下文。
- QFLD-780-100S半导体激光器QPhotonics
波长: 776.6 nm输出功率: 0 to 0.1 W
Qphotonics公司的QFLD-780-100S是波长为776.6nm的激光二极管，输出功率为0~0.1W，工作电压为2.05V，工作电流为0.2~0.2A，阈值电流为31mA.有关QFLD-780-100S的更多详细信息，请参阅下文。
- DBR780PN半导体激光器Thorlabs Inc
波长: 779 to 783 nm输出功率: 40 to 45 mW
来自Thorlabs的DBR780PN是一种单频激光二极管，在781nm波长下工作时可提供45mW的输出功率。该分布式布拉格反射器（DBR）激光器包括集成光隔离器、热电冷却器（TEC）、热敏电阻和监控光电二极管。它采用14针蝶形封装，配有PM780-HP保偏光纤和FC/APC连接器，该连接器与光纤的慢轴对齐。激光二极管非常适合作为铷原子钟、二次谐波产生、双光子吸收和时间分辨荧光光谱的低噪声泵浦源。
- FPL1053C半导体激光器Thorlabs Inc
波长: 1310 nm输出功率: 0.3 W
Thorlabs Inc的FPL1053C是一款激光二极管，波长1310 nm，输出功率0.3 W，工作电流0.75至1 A，输出功率（CW）0.3 W.有关FPL1053C的更多详细信息，请参见下文。
相关文章
紧凑型光子芯片的精确热控制：玻璃基板集成微热电冷却器（SimTEC）
光子学提供了各种优势，包括通过利用光特性在光学数据通信、生物医学应用、汽车技术和人工智能领域实现高速低损耗通信。这些优势是通过复杂的光子电路实现的，包括集成在光子芯片上的各种光子元件。
KAUST的科学家们展示了一种改变紧凑型半导体激光器的简单方法，使其在照明和全息摄影方面更加实用。这项研究发表在《Optica》杂志上。
Photodigm DBR 激光二极管为短波红外精密激光二极管设定了世界标准。