近红外(NIR)高光谱成像是一种非常有前途的探测技术,能够捕获详细的3D光谱空间信息,促进基于其光谱特征的材料和目标的识别和表征。
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概述
参数
- 二极管类型 / Diode Type : Si
- 工作波长 / Wavelength Of Operation : 400 - 1080nm
应用
1. 激光功率测量 2. 科学研究 3. 工业应用
特征
1.大光圈设计,适用于硅传感器 2.多版本选择,覆盖宽光谱范围 3.高精度校准 4.智能接口,包含所有校准数据 5.兼容多种显示和PC接口
详述
规格书
厂家介绍
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25 Gbit-s p-i-n光电二极管芯片和光电二极管阵列芯片850纳米
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二极管类型: PbS 工作波长: 1000nm
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