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FDL-785-1W-TAL 用于外腔设置的锥形放大器概述
FDL-785-1W-TAL 用于外腔设置的锥形放大器参数
- 中心波长 / Center Wavelength: : 0.785um
- 输出功率 / Output Power: : 1000mW
FDL-785-1W-TAL 用于外腔设置的锥形放大器图片集
FDL-785-1W-TAL 用于外腔设置的锥形放大器规格书
FDL-785-1W-TAL 用于外腔设置的锥形放大器厂家介绍
法兰克福激光公司（FLC）由Vsevolod Mazo博士于1994年创立，25年来一直是半导体激光器的较好公司之一。几乎没有一种激光产品在这里找不到。该公司提供从紫外、可见光范围到红外和远红外的激光源、激光二极管、超发光二极管、激光模块、激光系统、DPSS激光器或中红外LED，包括单模和多模、自由空间光束和光纤耦合。
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图片名称分类制造商参数描述
- LASER DIODE FIDL-10S-950X半导体激光器FrankFurt Laser Company
输出功率: 10mW
FIDL-10S-950X是用MOCVD半导体激光器制作的950nm InGaAs/GaAs单量子阱结构，低阈值电流和高斜率效率有助于降低工作电流，提高可靠性。FIDL-10S-950X光源为CW单模注入半导体激光二极管，内置监控光电二极管，输出功率稳定。激光二极管适用于各种光电系统。
- LDX-3310-915: 915nm Multimode Laser Diode半导体激光器RPMC Lasers Inc.
波长: 915nm输出功率: 3000mW
该915nm二极管激光器从自由空间封装中的100um发射器产生3000mW，或者从光纤耦合封装中的光纤产生2400mW。它具有低阈值电流和高斜率效率，这导致了增强可靠性的低工作电流。
- LU1064M450 1064nm Laser Module, Seed Laser半导体激光器Lumics GmbH
波长: 1064nm输出功率: 450mW
单模光纤尾纤激光二极管模块包含优化的基于GaAs衬底的量子阱高功率激光二极管。通过我们正在申请专利的创新技术，实现了极其严格的可靠性要求。这包括精心设计、精确定义的制造和广泛的测试。鉴定包含一组光电、热和机械测试。每个激光二极管模块都是单独序列化的，以实现可追溯性，并与一组指定的测试数据一起装运。
- FPL1059P半导体激光器Thorlabs Inc
波长: 1650 nm输出功率: 0.08 W
Thorlabs Inc生产的FPL1059P是一款激光二极管，波长为1650 nm，输出功率为0.08 W，工作电压为0.35至3.5 V，工作电流为0.4至0.5 A，输出功率（CW）为：0.08 W.有关FPL1059P的更多详细信息，请参见下文。
- ALC-635-600-FB半导体激光器AKELA Laser Corporation
波长: 635 nm输出功率: 0.6 W
ALC-635-600-FB是由Akela Laser Corporation生产的激光二极管，其波长为635 nm，输出功率为0.6 W，工作电压为2.2 V，工作电流为1.2 A，阈值电流为600 mA.有关ALC-635-600-FB的更多详细信息，请参阅下文。
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