在摩尔定律逼近物理极限的当下,碳基芯片被视为延续半导体产业发展的关键路径。其凭借碳纳米管、石墨烯等材料优异的电学与光电特性,在超高频、低功耗及光电集成领域展现出巨大潜力。然而,从实验室的惊艳成果走向晶圆厂的规模化量产,横亘着材料制备、工艺兼容与集成架构等多重鸿沟。本文将聚焦电子电工与光电技术的交叉点,剖析实现碳基芯片规模化量产必须攻克的核心技术壁垒。 一、
概述
参数
- 数值孔径 / Numerical Aperture (NA) : 0.60-0.30
- 焦距 / Focal Length (FL) : 0.15-2.00mm
- 光束宽度 / Beam Width (BW) : 0.03-0.075mm
- 镜片长度 / Lens Length (L) : 1.00-2.00mm
- 镜片高度 / Lens Height (H) : 0.42-2.00mm
- 中心厚度 / Center Thickness (CT) : 0.15-2.00mm
- 光束发散角 / Beam Divergence : 33° (FWHM)
- 镜片类型 / Lens Type : FAC
- 镜片类型 / Lens Type : FAI
应用
1. 高功率激光系统中的光束整形 2. 光纤耦合 3. 激光二极管的光束成像
特征
1. 应用优化设计 2. 高数值孔径(NA高达0.8) 3. 高精度光束准直 4. 光束质量高,均匀性高达99% 5. 高透光率 6. 经济高效的制造工艺 7. 稳定可靠的质量
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称呼
电话
单位名称
用途