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下载规格书 激光二极管在太空应用中已使用多年。 它们的主要用途是作为固态激光器的泵浦，并为这些应用开发了鉴定方法。
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FARL-500M-808-TO56 激光二极管 808nm 500mW概述
FARL-500M-808-TO56激光二极管808nm 500mW。
FARL-500M-808-TO56 激光二极管 808nm 500mW参数
- 中心波长 / Center Wavelength: : 0.808um
- 输出功率 / Output Power: : 500mW
FARL-500M-808-TO56 激光二极管 808nm 500mW图片集
FARL-500M-808-TO56 激光二极管 808nm 500mW规格书
FARL-500M-808-TO56 激光二极管 808nm 500mW厂家介绍
法兰克福激光公司（FLC）由Vsevolod Mazo博士于1994年创立，25年来一直是半导体激光器的较好公司之一。几乎没有一种激光产品在这里找不到。该公司提供从紫外、可见光范围到红外和远红外的激光源、激光二极管、超发光二极管、激光模块、激光系统、DPSS激光器或中红外LED，包括单模和多模、自由空间光束和光纤耦合。
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图片名称分类制造商参数描述
- FDL-765-2W-TA Tapered Amplifier for MOPA半导体激光器FrankFurt Laser Company
输出功率: 2000mW
GaAs基锥形放大器用于现有种子激光器的放大。10mW和30mW之间的种子功率可以被放大到接近2000W的衍射极限功率值。这种设置称为MOPA（主振荡器功率放大器）。后端面和前端面都具有小于0.01%的抗反射涂层，以避免放大器芯片本身的激光作用。具有锥形放大器的MOPA装置的应用实例是光学冷却、高分辨率吸收的光阱或拉曼光谱。
- NS-LD03 Narrow Spectra Laser Module 1550 nm半导体激光器WTT
波长: 1550nm输出功率: 10mW
窄光谱激光模块，工作波长~1550 nm。
- Seminex High Power Single Mode Laser Diode 1650nm 0.25W半导体激光器FrankFurt Laser Company
输出功率: 250mW
Seminex在13xx和17xx nm之间的红外波长下提供较高的可用功率。必要时，我们将进一步优化我们的InP激光器芯片的设计，以满足客户特定的光学和电气性能需求。二极管、线棒和封装都经过测试，以满足客户和市场的性能需求。显示了典型结果和封装选项。联系法兰克福激光公司了解更多详情或讨论您的具体要求。
- D6-5-635-5半导体激光器Egismos Technology Corporation
波长: 635 nm输出功率: 0 to 0.005 W
D6-5-635-5（EGISMOS Technology Corporation出品）是一种激光二极管，其波长为635nm，输出功率为0~0.005W，工作电压为2.2~2.5V，工作电流为35~40mA，阈值电流为25~30mA.有关D6-5-635-5的更多详细信息，请参阅下文。
- ML1345半导体激光器Modulight, Inc.
波长: 1530 to 1570 nm输出功率: 0.2 W
来自Modulight，Inc.的ML1345是波长为1530至1570nm、输出功率为0.2W、工作电压为1.2至2V、工作电流为650至750mA、阈值电流为35mA的激光二极管。有关ML1345的更多详细信息，请参阅下文。
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