单频半导体激光器研究取得进展:氮化硅微谐振器大大提高半导体激光器性能
洛桑联邦理工学院(EPFL)光子系统实验室(PHOSL)的团队开发出了一种芯片级激光源,在提高半导体激光器性能的同时,还能产生更短的波长。 这项开创性工作由Camille Brès教授和来自洛桑联邦理工学院工程学院的博士后研究员Marco Clementi领导,是光子学领域的重大进展,对电信、计量学和其他高精度应用具有重要意义。
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概述
参数
应用
1. 激光加工 2. 光谱分析 3. 科学研究
特征
1. 300 / 400 / 500mW 输出功率 2. 可用波长范围1090-1130nm 3. 专有镜面涂层技术,确保高可靠性 4. PM980或HI1060光纤 5. 单独老化和热循环筛选 6. 可选监控光电二极管 7. 符合RoHS标准
详述
规格书
厂家介绍
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