DPGEW1S03H 905纳米脉冲半导体激光器

分类：半导体激光器

厂家： Excelitas Technologies

产地：美国

型号： DPGEW1S03H 905 nm Pulsed Semiconductor Laser

更新时间： 2024-08-26T10:03:34.000Z

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高功率激光器光电半导体激光低成本

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概述

Excelitas Technologies'PGEW系列单外延和多外延905 nm脉冲半导体激光器由一系列器件组成，这些器件具有多达四个外延生长在单个GaAs衬底芯片上的有源激射层。这种多层设计将输出功率乘以外延层的数量。例如，QPGEW Quad激光器的有源层宽度为225µm，具有四个外延生长的激射层，输出峰值功率接近100 W。T1¾（类TO）塑料封装补充了密封金属封装中的Excelitas Epi-Cavity激光器，非常适合大批量应用。该激光器采用Excelitas和新型多有源区激光器芯片，在较小的发射面积内提供高输出功率。PGEW系列的激光芯片具有75和225µm的条纹宽度，并提供单（PGEW）、双（DPGEW）、三（TPGEW）或四（QPGEW）外腔版本。这些器件在垂直于芯片表面的方向上具有25°的光束发散角，在结平面内具有10°的光束扩展。功率输出在整个MIL规格温度范围内表现出极佳的稳定性。使用金属有机化学气相沉积（MOCVD）来制造结构。在涉及光纤耦合应用的情况下，外腔有源区的横向间隔将更多的光功率集中到更小的几何结构中，从而允许增加耦合到光纤中的光功率。峰值波长集中在大多数硅光电二极管的较大响应度附近。PGEW激光器与Excelitas EPI-APD系列C30737的器件匹配得特别好。这些器件非常适合以成本为首要考虑因素且需要大批量生产能力的应用。

参数

中心波长附近的调谐范围 / Tuning Range Around Center Wavelength : Not Applicable

应用

1. 激光测距 2. 激光测速 3. 红外照明 4. 激光皮肤治疗

特征

1.输出功率倍增 2.峰值功率超过100W 3.高可靠性 4.小发光区域增加光纤耦合输出 5.低成本塑料封装适合高产量 6.符合RoHS标准

详述

PGEW系列的单重和多重外延层905 nm脉冲半导体激光器是一款低成本高功率激光二极管，拥有单腔、双腔、三腔和四腔配置，适用于商业测距应用。这些激光器采用Excelitas的多活性区域激光芯片，能够在小发光区域内提供高输出功率。其光功率在整个MIL规范温度范围内表现出优异的稳定性，适合高产量生产。该系列产品还符合RoHS标准，确保环保。

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厂家介绍

Excelitas Technologies是提供高性能、市场驱动的光子创新的技术做的较好的，以满足全球客户的照明、光电、检测和光学技术需求。