670nm 8mW iFLEX-Q3紧凑型激光二极管模块

输出功率: 2000mW

GaAs基锥形放大器用于极端谐振器配置中，以将高达2000mW的近衍射极限输出功率与小谱线宽度和高边模抑制比相结合。它们的后端面具有小于0.01%的高抗反射涂层，以保证与光栅的良好耦合。前表面具有抗反射涂层，以保护芯片不受背向反射的影响。典型的应用是高分辨率吸收光谱或非线性倍频。

输出功率: 250mW

FIDL-250M-860X是用MOCVD半导体激光器制作的AlGaAs/GaAs量子阱结构。低阈值电流和高斜率效率有助于降低工作电流，从而提高可靠性。FIDL-250M-860X是一款CW多模注入式半导体激光二极管，内置监控光电二极管以稳定输出功率。激光二极管适用于各种光电系统。

波长: 880 nm输出功率: 3 W

Photontec Berlin的880M C-Mount Diode是一款激光二极管，波长为880 nm，输出功率为3 W，工作电压为1.8~2 V，工作电流为3.3~3.6 A，阈值电流为700~850 mA.有关880M C安装二极管的更多详细信息，请参见下文。

波长: 1310 nm

Macom的131D-02I-KCT11是一款激光二极管，波长为1310 nm，工作温度为-40至85摄氏度。有关131D-02I-KCT11的更多详细信息，请参见下文。

波长: 1470 ± 20 nm输出功率: 1.5 W

Modulight公司的ML1941是一种波长为1470±20 nm、输出功率为1.5 W、工作电压为1.35 V、工作电流为4.2 A、阈值电流为220 mA的激光二极管。有关ML1941的更多详细信息，请参阅下文。