2327纳米中红外DFB激光器

输出功率: 40mW

852nm Mercury™系列高功率边缘发射激光器基于PhotoDigm先进的单频激光技术。它提供了一个紧凑型中衍射极限的单横模和单纵模光束密封封装。小平面经过钝化处理，以确保高功率可靠性。应用程序包括移动光谱仪器，其中耐用性和可靠性必需的。852 nm激光二极管通过了CS D2线光谱认证。

输出功率: 1000mW

FIDL-1000M-808X是808nm AlGaAs/GaAs多量子阱结构用MOCVD半导体激光器制作。低阈值电流和高斜率效率有助于降低工作电流，从而提高可靠性。FIDL-1000M-808X光源是一种连续多模注入式半导体激光二极管，内置监控光电二极管以稳定输出功率。该激光二极管适用于各种光电系统。

输出功率: 10mW

FTLD-1440-10S是基于GaInAsP/InPPBC量子阱结构的1440nm激光二极管，采用MOCVD和LPE工艺制备。FTLD-1440-10S是一种连续单模注入式半导体激光器，主要特点是可靠性高、灵敏度低。它采用SOT-148外壳，内置监控光电二极管和蝶形外壳，内置监控光电二极管、TEC、热敏电阻和微光学器件。该激光器适用于各种光电系统。

近红外脉冲半导体激光器通常用于长距离飞行时间或相移测距仪或激光雷达系统。Excelitas提供各种理想的脉冲905 nm激光器设计，包括多腔单片结构，每个芯片较多有4个有效区域，可产生高达100 W的峰值光输出功率。激光器芯片的物理堆叠也是可能的，从而产生高达300W的峰值光输出功率。板上芯片组件可用于混合集成。有6种金属密封封装类型可供选择，适用于恶劣环境应用。对于大批量应用，可提供模制环氧树脂TO-18型封装和表面贴装超模压陶瓷覆晶封装。关键参数是脉冲宽度和上升/下降时间。可以减小脉冲宽度，从而允许增加的电流驱动并导致更高的峰值光功率。量子阱激光器设计提供<1ns的上升和下降时间，但驱动电路布局和封装电感在决定上升/下降时间方面起着更大的作用，因此应进行相应的设计。为此，Excelitas提供了具有不同电感值的多种封装类型。我们的核心能力包括：MOVPE晶圆生长；生长的GaAs晶片的晶片处理；使用环氧树脂或焊料芯片附着的组件；引线框架上激光器的环氧树脂封装密封产品符合MIL STD和客户要求。

波长: 630 to 636 nm输出功率: 0.1 W

Ushio公司的HL63163DG是波长为630至636 nm的激光二极管，输出功率为0.1 W，工作电压为2.6至3 V，工作电流为0.17至0.23 A，阈值电流为70至100 mA.有关HL63163DG的更多详细信息，请参阅下文。