单频半导体激光器研究取得进展:氮化硅微谐振器大大提高半导体激光器性能
洛桑联邦理工学院(EPFL)光子系统实验室(PHOSL)的团队开发出了一种芯片级激光源,在提高半导体激光器性能的同时,还能产生更短的波长。 这项开创性工作由Camille Brès教授和来自洛桑联邦理工学院工程学院的博士后研究员Marco Clementi领导,是光子学领域的重大进展,对电信、计量学和其他高精度应用具有重要意义。
概述
参数
规格书
厂家介绍
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波长: 473nm 输出功率: 6000mW
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波长: 532nm 输出功率: 6000mW
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波长: 980nm 输出功率: 6000mW
激光模块和二极管
波长: 700nm 输出功率: 6000mW
激光模块和二极管
输出功率: 50mW
坚固耐用的微型DPSSLaser封装在标准半导体TO56 CAN中。
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