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APQ3000-IT InGaAs APD Quadrant Photodiode 光电二极管 光电二极管

APQ3000-IT InGaAs APD Quadrant Photodiode 光电二极管

分类: 光电二极管

厂家: OTRON

产地: 中国大陆

型号: APQ3000-IT InGaAs APD Quadrant Photodiode

更新时间: 2025-08-08T06:21:54.000Z

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高可靠性 低暗电流 InGaAs APD 象限光电二极管 激光传感器

3mm直径低暗电流InGaAs APD象限光电二极管,采用P on N结构和100um间隙。封装在TO-8中。

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概述

APQ3000-IT InGaAs APD象限光电二极管,具有低暗电流和高可靠性,适用于激光束位置传感器、微小过程控制器等应用。

参数

  • 芯片尺寸 / Chip Size : 3.24*3.24mm
  • 有效区域 / Active Area : Φ3mm
  • 间隙 / Gap : 100um
  • 暗电流 / Dark Current : 40-150nA
  • 最大倍增增益 / Maximum Multiplication Gain : 10
  • 反向击穿电压 / Reverse Breakdown Voltage : 35-55V
  • 工作电压 / Operating Voltage : 0.90*Ubr
  • 上升时间 / Rise Time : 20-35ns
  • 暗电流温度系数 / Temp Coefficient Of Io : 0.10-0.15V/°C
  • 结电容 / Junction Capacitance : 85-90pF
  • 通道间串扰 / Cross Talk Channel-To-Channel : 10%
  • 每个元件的均匀性 / Uniformity Of Each Element : 1-5%
  • 饱和功率 / Saturation Power : 1mW
  • 光敏度 / Photo Sensitivity : 1310nm: 10-15A/W, 1550nm: 14-16A/W
  • 光谱应用范围 / Spectral Application Range : 800-1700nm
  • 角度响应50%响应点 / Angular Resp 50% Resp Pt : ±55°

应用

1. 激光束位置传感器 2. 微小过程控制器 3. 光学镊子 4. 激光制导

特征

1. 3mm直径有效面积 2. 小间隙 3. 低暗电流 4. 低串扰

图片集

APQ3000-IT InGaAs APD Quadrant Photodiode图1
APQ3000-IT InGaAs APD Quadrant Photodiode图2
APQ3000-IT InGaAs APD Quadrant Photodiode图3
APQ3000-IT InGaAs APD Quadrant Photodiode图4
APQ3000-IT InGaAs APD Quadrant Photodiode图5
APQ3000-IT InGaAs APD Quadrant Photodiode图6
APQ3000-IT InGaAs APD Quadrant Photodiode图7

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厂家介绍

奥创传感器成立于2004年,一直为我们的客户提供较新的光学和光电元件。我们不仅为客户提供传感器元件,还提供传感器应用解决方案。我们的使命是为客户提供较好的产品,较好的服务和技术专长。

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图片 名称 分类 制造商 参数 描述
  • Laser Ranging Applications 光电二极管 APD 光电二极管 镇江微莱特光电科技有限公司

    响应波长: 400-1100nm 响应波长: 400-1100nm 孔径: φ500um

    我司平衡探测(BPD)器件和模组,具有:共模抑制比高、带宽大、暗电流小、高低温环境下可靠性高等特点。 高速光电探测PD的最高带宽可达40GHz以上,具有:响应度高、大驻波比、体积小、重量轻、高低温环境下可靠性高等特点。 高速光电探测APD,主要用于:OTDR、数据通讯、测距等多种领域;具有:响应度高、增益大、带宽高、高低温环境下可靠性高等特点。 针对特殊应用领域的客户,我们专门开发了小型化的器件,以提高客户产品的适装性,也可根据客户的具体要求提供定制化开发服务。

  • High-speed APDs 光电二极管 高速APD 光电二极管 镇江微莱特光电科技有限公司

    响应波长: 1100-1650nm 带宽: DC-3GHz 响应度: 0.9A/W

  • Laser Ranging Applications 光电二极管 APD 光电二极管 镇江微莱特光电科技有限公司

    我司平衡探测(BPD)器件和模组,具有:共模抑制比高、带宽大、暗电流小、高低温环境下可靠性高等特点。 高速光电探测PD的最高带宽可达40GHz以上,具有:响应度高、大驻波比、体积小、重量轻、高低温环境下可靠性高等特点。 高速光电探测APD,主要用于:OTDR、数据通讯、测距等多种领域;具有:响应度高、增益大、带宽高、高低温环境下可靠性高等特点。 针对特殊应用领域的客户,我们专门开发了小型化的器件,以提高客户产品的适装性,也可根据客户的具体要求提供定制化开发服务。

  • LA PD29395HP1 Photodiode 光电二极管 LA PD29395HP1 光电二极管 光电二极管 Chips 4 Light

    芯片尺寸(毫米): min:2.3 x 7.35;typ:2.4 x 7.45;max:2.5 x 7.55 mm 芯片高度: min:195;typ:220;max:245 µm 正面电极: min:Al

    光大道Premium版探测器系列设计为高性能的消费者应用. 这个装置是双倍PIN光二极管芯片,具有高光度敏感度,低电容和高频范围. 它对可见和近红外光敏感

  • LA PD80FP1 Photodiode 光电二极管 LA PD80FP1 光电二极管 光电二极管 Chips 4 Light

    芯片尺寸: min:1970;typ:2020;max:2070 µm 芯片高度: min:120;typ:150;max:180 µm

    光大道Premium版探测器系列设计为高性能的消费者应用. 这种芯片是高灵敏度的PIN光二极管芯片,峰值灵敏度为950nm. 阳极和阴极位于芯片底部.

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