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工程化氧迁移以实现三端器件中的均匀体积电阻切换

DOI:10.1002/aelm.201800629 期刊:Advanced Electronic Materials 出版年份:2019 更新时间:2026-01-09 18:48:55
摘要: 阻变效应在应对纳米电子学和神经形态学近期挑战方面具有显著优势。从材料角度看,强关联金属钙钛矿氧化物的优异特性(尤其是呈现金属-绝缘体转变的材料)可被用于开发基于体积阻变(VRS)现象的新一代器件,这种机制超越了传统丝状和界面理论。本研究通过氧分压实验确定了氧交换过程的作用及速率限制步骤,完整阐述了混合价态混合导体金属La1−xSrxMnO3−y钙钛矿中控制VRS存储效应这一稳健新物理机制。研究表明,引入CeO2−x覆盖层可智能调控氧迁移,并进一步利用该层验证VRS现象——通过操作非易失性、体积型概念验证型栅控三端导电桥器件实现验证。
作者: Juan Carlos Gonzalez-Rosillo,Rafael Ortega-Hernandez,Benedikt Arndt,Mariona Coll,Regina Dittmann,Xavier Obradors,Anna Palau,Jordi Suñe,Teresa Puig
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研究混合价态混合导体金属La1−xSrxMnO3−y钙钛矿中体积电阻开关(VRS)存储效应的氧交换作用及限速步骤,并利用CeO2−x覆盖层调控氧迁移以在三端器件概念验证中证实VRS现象。

该研究为金属La1−xSrxMnO3−y薄膜的体电阻转变提供了氧交换模型,表明表面氧吸附物的覆盖度(取决于氧分压)决定了电阻转变行为。通过引入CeO2−x覆盖层,可直接控制层间氧交换,从而实现稳健的转变。概念验证的3-T器件展示了高达40纳米厚度的体电阻转变对导电性的非易失性、可逆调控,凸显了其在纳米电子学和神经形态计算中的应用潜力。未来工作应聚焦于优化器件几何结构并进一步表征转变动力学。

由于氧交换导致的Mn离子价态变化的确切幅度尚未估算,需要进一步采用光谱技术进行研究。CeO2−x/LSMO界面的传输机制尚不明确,需开展更多研究。三端器件中的电阻比具有几何依赖性,通过优化设计可得到改善。为全面理解开关动力学以及场驱动与焦耳热过程之间的平衡,需要进行系统的脉冲研究和建模。

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