斜角磁控溅射沉积的纳米结构WO₃薄膜的电致变色性能

1：实验设计与方法选择：

本研究采用掠射角反应磁控溅射法沉积纳米结构WO3薄膜，并与常规溅射制备的致密薄膜进行对比。设计原理是通过掠射角控制形貌以增强电致变色性能。理论模型包括用于扩散系数分析的Randles-Sevcik方程和用于离子传输研究的电化学阻抗谱。

2：样品选择与数据来源：

衬底为锡掺杂氧化铟（ITO）玻璃和硅片，经超声清洗。薄膜分别在0°和80°掠射角下沉积。

3：实验设备与材料清单：

设备包含钨靶反应磁控溅射系统、场发射扫描电镜（FE-SEM）、透射电镜（FEI Tecnai G2 F20）、配备铂网和Hg/HgO电极的电化学池，以及Lambda 750分光光度计。材料包括高纯氩气、氧气、LiClO4、碳酸丙烯酯及衬底材料。

4：0）、配备铂网和Hg/HgO电极的电化学池，以及Lambda 750分光光度计。材料包括高纯氩气、氧气、LiClO碳酸丙烯酯及衬底材料。 实验流程与操作步骤：

4. 实验流程与操作步骤：衬底经清洗后置于溅射腔室，在控制气体流量与功率条件下按指定角度沉积薄膜。通过FE-SEM和TEM分析形貌，采用三电极体系下的循环伏安法、计时电流法和EIS测试电致变色性能，光学透过率测量范围为300-800纳米。

5：数据分析方法：

利用Randles-Sevcik方程解析CV曲线数据计算扩散系数，通过EIS数据拟合确定锂离子扩散系数，光学数据用于计算透过率与光密度值。