酞菁铜:掺杂效应及其有机半导体特性研究在柔性器件中的应用

DOI:10.3390/ma12030434 期刊:Materials 出版年份:2019 更新时间:2026-01-09 18:47:57
摘要: 本研究通过酞菁铜与四硫富瓦烯或四氰基喹二甲烷的简单反应实现有机半导体掺杂。采用真空蒸镀法在不同基底上制备了酞菁铜掺杂四硫富瓦烯给体(CuPc-TTF)和四氰基喹二甲烷受体(CuPc-TCNQ)的半导体薄膜,运用红外光谱(IR)、X射线衍射(XRD)和扫描电镜(SEM)分析了薄膜结构与形貌。沉积薄膜在200-900 nm紫外-可见光区的吸收光谱显示:CuPc-TTF存在两个特征峰——约613 nm的高能峰与约695 nm的次峰,均对应酞菁铜的Q带跃迁;其B带位于约330 nm处,带隙值约1.4 eV。CuPc-TCNQ的B带与CuPc-TTF相似,但未出现Q带且带隙值约1.6 eV。实验测得的光学带隙与密度泛函理论(DFT)计算结果进行了对比。为验证掺杂剂对酞菁半导体性能的影响,制备了简单器件并评估其电学行为:通过真空升华法在刚性/柔性氧化铟锡(ITO)基底上沉积由给体-受体活性层及空心电子传输选择性层构成的器件。测试发现:基于混合PET层的结构在黑暗/光照条件下的电流密度约10 A/cm²,而叠层玻璃结构约为3 A/cm²。载流子迁移率(µ)等电学参数通过J-V特性曲线获得:玻璃基底器件的迁移率范围为1.59×10⁹~3.94×10¹⁰ cm²/(V·s),PET基底器件为1.84×10⁹~4.51×10⁹ cm²/(V·s)。刚性与柔性器件的性能差异主要源于基底效应。
作者: Mariel Leyva Esqueda,María Elena Sánchez Vergara,José Ramón Álvarez Bada,Roberto Salcedo
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研究概述 实验方案 设备清单

通过研究酞菁铜与四硫富瓦烯或四氰基喹啉二甲烷之间的简单反应来探究有机半导体的掺杂,并评估其光学和电学性能在柔性光电器件中的应用。

用TTF和TCNQ掺杂CuPc制得了带隙范围适合光电子应用的有机半导体。CuPc-TTF呈现具有直接跃迁和欧姆特性的多晶结构,而CuPc-TCNQ为具有间接跃迁和类整流特性的非晶态。与刚性玻璃衬底相比,PET柔性衬底上的器件展现出更高的电流密度和均匀的形貌,表明其在柔性微电子领域具有应用潜力。含TTF和TCNQ的活性层表现出双极特性。未来工作应优化器件结构、层厚度并引入附加层以改善电学参数。

所制备的器件未进行优化,因为未充分考虑厚度的影响。该研究聚焦于衬底效应和掺杂性能,但未对层序排列、再结晶退火或沉积过程中的温度调节进行详细优化。后续工作需对优化器件的电学特性进行表征,包括结构层序排列、厚度优化以及倒置或叠层架构的评估。

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