研究目的
为28 GHz 5G应用设计采用新型100纳米栅长氮化镓硅（GaN-Si）技术的两级单片微波集成电路（MMIC）多尔蒂功率放大器（DPA）。
研究成果
该设计在28 GHz频段实现了约13 dB增益、35%效率及2W饱和输出功率的预期性能，这是氮化镓-硅（GaN-Si）技术上毫米波DPA的首次实现，凸显了其对5G应用的重要意义及未来发展的潜力。
研究不足
局限性包括GaN-Si技术中存在损耗的衬底，这需要有效的电路解决方案来优化性能；潜在的优化领域并未明确讨论。
[IEEE 2018亚太微波会议(APMC) - 日本京都(2018.11.6-2018.11.9)] 2018年亚太微波会议(APMC) - 面向5G应用的氮化镓硅基单片微波集成电路多尔蒂功率放大器
DOI：10.23919/APMC.2018.8617664
出版年份：2018
更新时间：2026-01-09 18:47:15
摘要：
本论文提出了一种面向28 GHz 5G应用的两级单片微波集成电路（MMIC）多尔蒂功率放大器（DPA）设计方案。该电路采用100纳米栅长的新型氮化镓硅（GaN-Si）工艺实现。针对所选工艺特性（尤其是高损耗衬底），提出了优化整体DPA性能的有效电路解决方案，并应用于最终芯片版图设计。预期在28GHz频段可实现约13 dB增益、35%效率和2W饱和输出功率。据作者所知，这是首次在GaN-Si工艺上实现毫米波频段多尔蒂功率放大器。
作者：
Rocco Giofre，Alessandro Del Gaudio，Walter Ciccognani，Sergio Colangeli，Ernesto Limiti
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研究概述
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