研究目的
采用InP HEMT技术研制高输出功率、高反向隔离的G波段功率放大器模块
研究成果
该集成化PA模块展现出高增益（140-190 GHz频段超过22 dB）、高反向隔离度（140-200 GHz频段超过45 dB）、高输出功率（165-185 GHz频段超过13 dBm）以及优异线性度（169.5 GHz处OP1dB达8 dBm），验证了InP HEMT工艺与设计技术的有效性。
1：实验设计与方法选择：
PA模块采用自主InP-HEMT技术设计，具有4分支单元结构，每个单元包含六级中功率放大器。为单元提出线性偏置技术以实现高增益和线性度。MMIC通过脊形耦合器过渡封装于波导模块中，并在模块顶部应用掺杂硅吸波材料以减少泄漏并增强反向隔离。
2：样本选择与数据来源：
使用制备的PA模块作为测试样本。
3：实验设备与材料清单：
InP HEMT技术、PA MMIC、波导模块、脊形耦合器、掺杂硅吸波材料。
4：实验步骤与操作流程：
制备PA MMIC并将其与脊形耦合器过渡封装至波导模块中。在模块顶部安装掺杂硅吸波材料。测量G波段频率范围内的增益（S21）、反向隔离（S12）、输出功率及线性度（OP1dB）等性能参数。
5：1）、反向隔离（S12）、输出功率及线性度（OP1dB）等性能参数。 数据分析方法：
5. 数据分析方法：基于指定频段内测量的S参数（S21、S12）、输出功率及OP1dB值进行性能分析。
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InP HEMT
80-NM
Core technology for developing the power amplifier module, providing high-frequency performance.
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PA MMIC
Monolithic microwave integrated circuit used as the main amplifier component in the module.
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Waveguide Module
Packaging for the PA MMIC, facilitating signal transmission in the G-band.
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Ridge Coupler
Transition component between the MMIC and waveguide in the module.
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Doped Si Absorber
Reduces leakage signal and enhances reverse isolation in the module.
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