通过微加工制备具有形态相边界组分的Pb(Zr,Ti)O<sub>3</sub>岛状结构对薄膜厚度方向晶体结构非均匀性的应力影响

DOI:10.2109/jcersj2.18178 期刊:Journal of the Ceramic Society of Japan 出版年份:2019 更新时间:2026-01-09 18:47:09
摘要: 研究了Pb(Zr,Ti)O3(PZT)岛微加工诱导的微观结构变化。该3μm厚的外延(100)/(001)取向PZT薄膜具有0.56的Zr/(Zr+Ti)比值,包含四方相和菱方相。四方相主要存在于薄膜-衬底界面附近,而菱方相靠近薄膜表面。这种沿薄膜厚度的结构非均匀性分布会随PZT横向尺寸改变。这些现象可通过PZT中的应力分布来解释,理解这种非均匀性是利用PZT器件性能控制的关键。
作者: Masamichi NISHIDE,Shintaro YOKOYAMA,Hiroshi FUNAKUBO,Takashi KATODA,Ken NISHIDA
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研究具有形态相边界成分的Pb(Zr,Ti)O3(PZT)岛状结构经微加工诱导产生的微观结构变化,并理解应力对薄膜厚度方向上晶体结构非均匀性的影响。

PZT薄膜与岛状结构的晶体结构会随应力条件发生显著变化,导致沿膜厚方向出现非均匀性。靠近衬底界面处以四方相为主,而表面附近则以菱方相为主,其分布轮廓会因横向尺寸导致的应力弛豫而改变。理解这种非均匀性对控制MEMS器件性能至关重要,因为结构变化会影响电学和机电特性。

有限元法计算假设材料为各向同性且未考虑位错影响,可能导致应力分布被过度简化。该研究仅针对特定横向尺寸和组分,岛状结构中的应力弛豫可能并不完全,尤其在界面附近。这些结果仅适用于外延PZT薄膜,未必能推广至其他铁电材料或沉积方法。

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