AlGaAsSb超材料中的富锑纳米内含物

1：实验设计与方法选择：

本研究采用低温分子束外延（MBE）技术生长薄膜，随后通过高温退火形成AsSb纳米内含物。结构表征使用透射电子显微镜（TEM）和X射线衍射（XRD），光学表征则采用吸收、反射和透射测量。

2：样品选择与数据来源：

AlGaAsSb薄膜生长于半绝缘的50毫米GaAs衬底上，衬底取向为(001)±0.5°。样品包括原位生长和退火（750°C）部分以供对比。

3：5°。样品包括原位生长和退火（750°C）部分以供对比。 实验设备与材料清单：

3. 实验设备与材料清单：MBE系统（'Katun'）、实验室退火炉、配备Cu Kα光源的布鲁克D8 Discover XRD仪器、JEM2100F TEM机、FEI-Tecnai SACTEM-Toulouse显微镜、欧司朗钨卤素灯泡光源、HR4000CG和NIRQuest-512海洋光学光谱仪、GaAs衬底、带有AlAs和GaAs盖层的AlGaAsSb薄膜。

4：实验流程与操作步骤：

薄膜在200°C下生长，覆盖AlAs和GaAs层，在H2气氛中750°C退火，通过XRD、TEM（平面和截面）、高分辨TEM及光学光谱学进行表征（透射测量前移除衬底）。

5：数据分析方法：

通过XRD峰分析晶格参数和缺陷浓度，TEM图像分析内含物尺寸与结构，几何相位分析（GPA）测量应变，光学吸收系数校准确定缺陷浓度，利用Vegard定律确定组分。