全光D触发器不同设计方案的性能分析

1：实验设计与方法选择：

整体实验设计利用半导体光放大器（SOA）和马赫-曾德尔干涉仪（MZI）结构，通过交叉增益调制（XGM）、交叉相位调制（XPM）和四波混频（FWM）等非线性效应构建全光NAND与NOR门。随后采用NAND-NAND逻辑和NAND-NOR逻辑两种配置搭建D触发器，并通过理论分析与仿真验证设计方案。

2：样本选择与数据来源：

输入信号由光学高斯脉冲发生器生成特定数据模式（如输入A为1010，输入B为1111）以测试门电路与触发器。未提及外部数据集，仿真数据均为内部生成。

3：实验设备与材料清单：

设备包括光学高斯脉冲发生器、连续波（CW）激光器、高斯光学滤波器、耦合器（C1至C6）、半导体光放大器（SOA）及马赫-曾德尔干涉仪（MZI）装置。除上述组件外未特别说明材料。

4：6）、半导体光放大器（SOA）及马赫-曾德尔干涉仪（MZI）装置。除上述组件外未特别说明材料。 实验流程与操作步骤：

4. 实验流程与操作步骤：NAND门：按序耦合输入信号，经SOA与耦合器处理并接收连续波激光器控制信号；NOR门：类似耦合放大流程；D触发器：按逻辑设计互联门电路，施加输入（D与CLK）并测量输出（Q与Q̅）。使用Optisystem软件仿真验证真值表功能。

5：数据分析方法：

通过误码率（BER）与品质因数评估性能，采用真值表进行功能验证，仿真输出波形用于对比分析。