反射高能电子衍射投影势法研究Si(001)2×1表面二聚体构型

1：实验设计与方法选择：

本研究采用投影势法对RHEED进行分析，以研究具有非对称二聚体翻转运动的Si(001)2×1表面动态结构。该方法聚焦于第0劳厄区的倒易晶格杆，这些晶格杆代表了投影晶体势的傅里叶分量。强度计算采用多片层动力学理论，考虑了具有2×1和1×2结构的双畴表面。

2：样品选择与数据来源：

使用了一块n型（磷掺杂）Si(001)单晶（尺寸为3×15×0.5 mm³），电阻率为1-10 Ω·cm。样品表面通过在超高真空中直流加热进行清洁，以获得高对比度的RHEED图样。

3：5 mm³），电阻率为1-10 Ω·cm。样品表面通过在超高真空中直流加热进行清洁，以获得高对比度的RHEED图样。 实验设备与材料清单：

3. 实验设备与材料清单：超高真空RHEED装置（压力1×10⁻⁷ Pa）、通过步进电机机械倾斜的电子枪、用于强度测量的CCD相机、红外辐射温度计（IR-CAT1CS，Chino公司）、Si(001)单晶样品。

4：实验步骤与操作流程：

将样品加热至指定温度（室温、880 K、1031 K）。使用CCD相机测量衍射斑点强度的摇摆曲线，掠射角变化速率约为2.7°/min，间隔约为0.05°。加速电压为10 kV，入射方位角设置为[1-10]。

5：7°/min，间隔约为05°。加速电压为10 kV，入射方位角设置为[1-10]。 数据分析方法：

5. 数据分析方法：摇摆曲线采用多片层法计算，结合原子散射势和德拜-瓦勒因子。通过松弛参数R改变结构参数，并将计算曲线与实验数据进行比较以确定最佳拟合。