S/F双层膜末端的态密度重建

1：实验设计与方法选择：

本研究采用铁磁体中存在畴壁的S/F双层理论模型。超导薄膜通过延迟格林函数的Eilenberger方程描述，并采用Riccati参数化方法。使用数值方法结合体材料的渐近条件求解Riccati方程。畴壁通过特定自旋纹理剖面（如双曲正切形状的头对头畴壁）进行建模。

2：样本选择与数据来源：

该系统为包含自旋单态超导体和自旋纹理铁磁体（金属或绝缘体）的理论模型。假设超导薄膜处于弹道输运极限，其厚度远小于相干长度。数据基于模型参数通过数值计算生成。

3：实验设备与材料清单：

未提及具体实验设备或材料，因本研究属于理论与计算范畴。

4：实验流程与操作步骤：

通过稳定积分方法（如从x=-∞出发处理右行轨迹）数值求解格林函数振幅（ˆγ和ˆ˜γ）的Riccati方程，随后通过对费米面平均计算态密度（DOS）。通过改变畴壁宽度（dW）、畴壁到超导体端部的距离（d）及有效交换场（heff）等参数研究其影响。

5：数据分析方法：

分析态密度随能量和位置的变化关系。针对简化模型（无限薄畴壁）使用Andreev方程解析推导束缚态能量。通过态密度-能量曲线及(x,ε)平面二维图呈现数值结果，并对空间区域取平均以观察共振特征。