采用锶掺杂氧化铝栅极绝缘层的高迁移率喷墨打印铟镓锌氧化物薄膜晶体管

1：实验设计与方法选择：

本研究采用喷墨打印技术制备IGZO薄膜晶体管的沟道层，并通过溶液法处理SAO栅介质。相较于点阵图案（4×4和5×5），实验选用线性印刷图案形成薄而均匀的IGZO沟道。SAO介质用于改善亚阈值特性并实现低压操作。

2：样品选择与数据来源：

以200纳米厚SiO2的重掺杂p型硅片作为衬底。IGZO前驱体溶液按特定摩尔比（In:Ga:Zn=

3：

4：

2.2，总浓度0.25 M）配制，SAO前驱体溶液采用Al:Sr=

5：2，总浓度25 M）配制，SAO前驱体溶液采用Al:

9.5:0.5配比（总浓度0.15 M）。

6：

3. 实验设备与材料清单：设备包括喷墨打印系统（富士胶片DMP-2850）、半导体参数分析仪（安捷伦4155C）、共聚焦显微镜（基恩士VK-9710）、探针式轮廓仪（布鲁克DektakXT）及铝电极热蒸镀装置。材料包含金属前驱体（西格玛奥德里奇）、溶剂及衬底。

7：5配比（总浓度15 M）。 实验设备与材料清单：

4. 实验流程与操作步骤：对衬底进行清洗，采用不同图案（线性型与点阵列）喷墨打印IGZO后350°C退火，通过掩模热蒸镀沉积铝源漏电极，旋涂SAO介质并退火，最后测量电学特性。

8：0）、半导体参数分析仪（安捷伦4155C）、共聚焦显微镜（基恩士VK-9710）、探针式轮廓仪（布鲁克DektakXT）及铝电极热蒸镀装置。材料包含金属前驱体（西格玛奥德里奇）、溶剂及衬底。 实验流程与操作步骤：

5. 数据分析方法：根据薄膜晶体管标准公式，从转移特性曲线提取场效应迁移率、亚阈值摆幅（SS）和总陷阱态密度（Nt）。