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静电场强度对SrTiO₃晶界核心结构的影响

DOI:10.1111/jace.16344 期刊:Journal of the American Ceramic Society 出版年份:2019 更新时间:2026-01-09 18:45:49
摘要: 理解外施电场与纳米尺度陶瓷界面结构之间的相互作用,对于控制其功能特性至关重要。在陶瓷氧化物中,功能特性由晶界核心结构附近及内部的氧空位浓度决定。本研究表明,在双晶扩散键合过程中施加0 V/cm至标称170 V/cm的静电场,会改变SrTiO3中(100)扭转晶界的原子和电子核心结构。所施加电场强度会影响局部氧空位浓度及氧亚晶格的有序排列。该模型系统的结果表明:陶瓷制造过程中施加的静电场可作为新的工艺参数,用于定制缺陷结构构型并获得前所未有的陶瓷微观结构。这种在无需任何烧结添加剂的情况下通过电场调控界面构型的能力,对于调节电陶瓷的极化和能带结构同时避免常有害掺杂剂的影响,可能具有深远意义。
作者: Lauren A. Hughes,Klaus van Benthem
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研究概述 实验方案 设备清单

研究静电场强度对SrTiO3晶界核心结构的影响,特别是扩散键合过程中施加电场如何改变原子和电子核心结构、氧空位浓度以及氧亚晶格有序性。

在SrTiO3晶界形成过程中施加电场会改变晶界构型,随着电场强度增加会导致氧亚晶格无序化及局部电子结构变化。这使得无需掺杂即可调控缺陷结构,有望为固态电解质和高电压电容器等应用创造新型微观结构。

该研究未探讨电场存在下掺杂剂偏析的影响,而这对电荷再分布的定量测定是必需的。此外,不同场强下扩散键合温度和时间的差异可能引入混杂因素,不过阳离子结构未受影响。

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