[2018年IEEE国际电子器件会议(IEDM)- 美国加利福尼亚州旧金山(2018.12.1-2018.12.5)] 2018年IEEE国际电子器件会议(IEDM)- 用于宽带光电突触器件的硅纳米晶体与二维WSe₂混合结构

DOI:10.1109/iedm.2018.8614657 出版年份:2018 更新时间:2026-01-09 18:45:41
摘要: 作为即将到来的"超越摩尔定律"时代最重要的技术之一,神经形态计算高度依赖于突触器件的发展。我们利用硼掺杂硅纳米晶体(Si NCs)的强宽带光吸收特性与二维(2D)二硒化钨(WSe2)的高效电荷传输特性的协同效应,制备了基于Si NCs与二维WSe2复合结构的突触器件。该Si-NC/WSe2突触器件可在从紫外(UV)到近红外(NIR)的宽光谱范围内实现光刺激,展现出重要的突触功能特性。其能耗可低至75飞焦(fJ)。这项研究通过利用丰富的半导体纳米晶体和二维材料库,对突触器件的开发具有重要启示意义。
作者: Zhenyi Ni,Yue Wang,Lixiang Liu,Shuangyi Zhao,Yang Xu,Xiaodong Pi,Deren Yang
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研究概述

通过利用硼掺杂硅纳米晶体与二维WSe2材料的协同效应,开发用于神经形态计算的突触器件。

硅纳米晶/二硒化钨混合突触器件展现出从紫外到近红外的宽光谱光刺激能力,且能耗极低(低至75飞焦),不仅展现了重要的突触功能特性,还为未来利用半导体纳米晶和二维材料开发突触器件提供了重要启示。

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