[IEEE 2018年第九届薄膜晶体管计算机辅助设计国际会议（CAD-TFT） - 中国深圳（2018.11.16-2018.11.18）] 2018年第九届薄膜晶体管计算机辅助设计国际会议（CAD-TFT） - 溶液法制备InGaZnO薄膜晶体管的低温制造工艺

1：实验设计与方法选择：

采用垂直扩散法在低温下制备IGZO薄膜，区别于传统380°C退火的溶胶-凝胶溶液法。设计思路是通过降低退火温度并简化工艺流程，为潜在柔性应用提供可能。

2：样品选择与数据来源：

以二元氧化物溶液（Ga2O3、ZnO、In2O3）作为起始材料。薄膜成分及电学特性数据均来自制备的TFT器件。

3：ZnO、In2O3）作为起始材料。薄膜成分及电学特性数据均来自制备的TFT器件。 实验设备与材料清单：

3. 实验设备与材料清单：使用旋涂机沉积二元氧化物层，配备250°C空气氛围热处理退火设备，材料包括Ga2O3、ZnO和In2O3溶液。

4：ZnO和In2O3溶液。 实验步骤与操作流程：

4. 实验步骤与操作流程：通过依次旋涂这三种二元氧化物溶液沉积Ga2O3、ZnO、In2O3层，随后在250°C空气环境中进行退火处理以促进层间扩散，最终形成vd-IGZO薄膜。

5：ZnO、In2O3层，随后在250°C空气环境中进行退火处理以促进层间扩散，最终形成vd-IGZO薄膜。 数据分析方法：

5. 数据分析方法：测量并比较vd-IGZO与con-IGZO TFT的电学性能参数（场效应迁移率、阈值电压、亚阈值摆幅、导通/截止电流比）。